Sic transistor TO-263-8 1700V dei MOSFETs di N-Manica del MOSFET IMBF170R1K0M1 della fossa

Sic transistor TO-263-8 1700V dei MOSFETs di N-Manica del MOSFET IMBF170R1K0M1 della fossa

Descrizione di prodotto di IMBF170R1K0M1

IMBF170R1K0M1 è transistor del MOSFET del carburo di silicio del MOSFET della fossa di CoolSiC™ 1700V sic, permettendo all'più alta frequenza.

Specificazione di IMBF170R1K0M1

Caratteristiche di IMBF170R1K0M1

• Materiale rivoluzionario a semiconduttore - carburo di silicio
• Ottimizzato per le topologie di ritorno del raggio catodico
• Tensione di portone-fonte 12V/0V compatibile con la maggior parte dei regolatori di ritorno del raggio catodico
• Perdite di commutazione basse stesse
• Tensione della soglia del portone del punto di riferimento, VGS (Th) = 4.5V
• DV/dt completamente controllabile per ottimizzazione di EMI

Altri tipi di prodotto del rifornimento

FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.