Chip TO-247-3 del circuito integrato del MOSFET IMW120R350M1H del carburo di silicio della fossa

Chip TO-247-3 del circuito integrato del MOSFET IMW120R350M1H del carburo di silicio della fossa

Descrizione di prodotto di IMW120R350M1H

IMW120R350M1H è 1200 MOSFETs del carburo di silicio della fossa di V CoolSiC™ in pacchetto TO247-3.

Specificazione di IMW120R350M1H

Caratteristiche di IMW120R350M1H

• perdite classe miglirice di conduzione e di commutazione
• Alta tensione della soglia del punto di riferimento, Vth > 4 V
• 0 tensioni del portone di giro-fuori di V per l'azionamento semplice e facile del portone
• Vasta gamma delle tensioni di fonte di portone
• Diodo con poche perdite e robusto del corpo per commutazione dura
• Indipendente di perdite del commutatore-fuori dalla temperatura

Altri tipi di prodotto del rifornimento

FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.