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IMZA65R048M1H 650V 20A 75W Transistor MOSFET FET Singolo Circuito Integrato Chip TO-247-4 Package

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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IMZA65R048M1H 650V 20A 75W Transistor MOSFET FET Singolo Circuito Integrato Chip TO-247-4 Package

IMZA65R048M1H 650V 20A 75W Transistor MOSFET FET Singolo Circuito Integrato Chip TO-247-4 Package
IMZA65R048M1H 650V 20A 75W Single FET MOSFET Transistor Integrated Circuit Chip TO-247-4 Package
IMZA65R048M1H 650V 20A 75W Transistor MOSFET FET Singolo Circuito Integrato Chip TO-247-4 Package IMZA65R048M1H 650V 20A 75W Transistor MOSFET FET Singolo Circuito Integrato Chip TO-247-4 Package

Grande immagine :  IMZA65R048M1H 650V 20A 75W Transistor MOSFET FET Singolo Circuito Integrato Chip TO-247-4 Package

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: IMZA65R048M1H
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-247-4
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T,L/C,Western Union
Contatto

IMZA65R048M1H 650V 20A 75W Transistor MOSFET FET Singolo Circuito Integrato Chip TO-247-4 Package

Descrizione
Numero di parte: IMZA65R048M1H Vgs: -5 - 23 V
corrente di perdita di Portone-fonte: 100 na Corrente zero dello scolo di tensione del portone: µA 150
Resistenza del portone: Ω 6,0 Discarica aperta: 1 MHz

Chip a circuito integrato IMZA65R048M1H 650V 20A 75W Transistor MOSFET a FET singolo pacchetto TO-247-4
Panoramica del prodotto

I transistor ad alta mobilità elettronica (HEMT) IMZA65R048M1H offrono velocità di accensione e spegnimento rapide con perdite di commutazione minime.

Specifiche
Codice articolo: IMZA65R048M1H Temperatura giunzione virtuale: -55 - 175 °C
Tensione drain-source: 1200 V Coppia di montaggio: 0,6 Nm
Tensione diretta del diodo di corpo: 5,2 V Corrente di drain a tensione di gate zero: 165 µA
Caratteristiche principali
  • Transistor a modo di miglioramento, interruttore normalmente spento
  • HEMT GaN in pacchetto SMD senza piombo di piccolo formato
  • Qualifica su misura per GaN
  • Commutazione ultraveloce
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Domande frequenti
D: I vostri prodotti sono originali?
R: Sì, tutti i prodotti sono originali, la nuova importazione originale è il nostro scopo.
D: Quali certificati avete?
R: Siamo un'azienda certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.
D: Potete supportare ordini di piccole quantità o campioni? Il campione è gratuito?
R: Sì, supportiamo ordini di campioni e piccoli ordini. Il costo del campione è diverso in base al tuo ordine o progetto.
D: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
R: Utilizziamo corrieri espressi per la spedizione, come DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Possiamo anche utilizzare il tuo spedizioniere suggerito. I prodotti saranno ben imballati e garantiranno la sicurezza e saremo responsabili per eventuali danni ai prodotti del tuo ordine.
D: E i tempi di consegna?
R: Possiamo spedire i componenti in stock entro 5 giorni lavorativi. Se non in stock, confermeremo i tempi di consegna per te in base alla quantità del tuo ordine.

Prodotto Tag:

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Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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