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Casa ProdottiChip del circuito integrato

Singolo pacchetto del MOSFET 650V 20A 75W TO-247-4 del FET dei transistor IMZA65R048M1H

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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Singolo pacchetto del MOSFET 650V 20A 75W TO-247-4 del FET dei transistor IMZA65R048M1H

Singolo pacchetto del MOSFET 650V 20A 75W TO-247-4 del FET dei transistor IMZA65R048M1H
Singolo pacchetto del MOSFET 650V 20A 75W TO-247-4 del FET dei transistor IMZA65R048M1H

Grande immagine :  Singolo pacchetto del MOSFET 650V 20A 75W TO-247-4 del FET dei transistor IMZA65R048M1H

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: IMZA65R048M1H
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-247-4
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union
Contatto

Singolo pacchetto del MOSFET 650V 20A 75W TO-247-4 del FET dei transistor IMZA65R048M1H

Descrizione
Numero del pezzo: IMZA65R048M1H VGS: -5 - 23 V
corrente di perdita di Portone-fonte: Na 100 Corrente zero dello scolo di tensione del portone: µA 150
Resistenza del portone: Ω 6,0 Scarico aperto: 1MHz

Singolo pacchetto del MOSFET 650V 20A 75W TO-247-4 del FET dei transistor IMZA65R048M1H

 

Descrizione di prodotto di IMZA65R048M1H

IMZA65R048M1H è transistor di Alto-Elettrone-mobilità (HEMTs) offre le velocità veloci di giro-fuori e di eccitazzione alle perdite di commutazione minime.

 

Specificazione di IMZA65R048M1H

Numero del pezzo:

IMZA65R048M1H

Temperatura di giunzione virtuale:

-55- °C 175

Tensione di Scolo-fonte:

1200 V

Montaggio della coppia di torsione:

0,6 nanometri

Tensione di andata del diodo del corpo:

5,2 V

Corrente zero dello scolo di tensione del portone:

µA 165


Caratteristiche di IMZA65R048M1H

  • Transistor di modo di potenziamento, normalmente FUORI dal commutatore

  • HEMT di GaN in pacchetto senza piombo di piccolo fattore forma SMD

  • qualificazione GaN-adattata

  • Commutazione ultraveloce

 

Altri tipi di prodotto del rifornimento

Numero del pezzo

Pacchetto

SPC5606BK0VLL6

LQFP100

SPC5668GF1AVMG

BGA208

SPC5603BK0VLH4

QFP64

SPC5643AF0MVZ2

BGA

SPC5643AF0MLU2

LQFP176

MSC040SMA120

TO-247

 

FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

Prodotto Tag:

Chip 24-PQFN del circuito integrato,

Lineare a doppio canale di TUSB1002ARGER,

Chip integrati QFN24

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

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