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Casa ProdottiChip del circuito integrato

Transistor discreti a semiconduttore dei MOSFETs del chip IMBF170R650M1 del circuito integrato

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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Transistor discreti a semiconduttore dei MOSFETs del chip IMBF170R650M1 del circuito integrato

Transistor discreti a semiconduttore dei MOSFETs del chip IMBF170R650M1 del circuito integrato
Integrated Circuit Chip IMBF170R650M1 MOSFETs Discrete Semiconductor Transistors
Transistor discreti a semiconduttore dei MOSFETs del chip IMBF170R650M1 del circuito integrato Transistor discreti a semiconduttore dei MOSFETs del chip IMBF170R650M1 del circuito integrato

Grande immagine :  Transistor discreti a semiconduttore dei MOSFETs del chip IMBF170R650M1 del circuito integrato

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: IMBF170R650M1
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-263-8
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union
Contatto

Transistor discreti a semiconduttore dei MOSFETs del chip IMBF170R650M1 del circuito integrato

Descrizione
Numero del pezzo: IMBF170R650M1 Transconduttanza: 0,65 S
Resistenza interna del portone: 25,4 Ω Capacità di uscita: 12 PF
Energia memorizzata di COSS: µJ 2 Tassa totale del portone: 8 nC

Transistor discreti a semiconduttore dei MOSFETs del chip IMBF170R650M1 del circuito integrato

 

Descrizione di prodotto di IMBF170R650M1

IMBF170R650M1 il N-Manica, MOSFETs del potenziamento-modo inoltre caratterizza estremamente - un 22.7nC basso alla tassa di recupero dell'inverso 23.0nC.

 

Specificazione di IMBF170R650M1

Numero del pezzo:

IMBF170R650M1

VGS:

-5 - 23 V

Corrente di perdita di Portone-fonte:

Na 100

Corrente zero dello scolo di tensione del portone:

µA 150

Resistenza del portone:

Ω 6,0

Scolo aperto:

1MHz


Caratteristiche di IMBF170R650M1

  • Qualificazione estesa oltre AEC-Q101

  • Prova elettrica migliorata

  • Progettazione robusta

 

Altri tipi di prodotto del rifornimento

Numero del pezzo

Pacchetto

MSC080SMA120

TO-247

MSC015SMA070

TO-247

MSC035SMA070

TO-247

MSC090SMA070

TO-247-3

MSC750SMA170

TO-247-3

MSC017SMA120

TO-247

 

FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

Prodotto Tag:

Chip 24-PQFN del circuito integrato,

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Chip integrati QFN24

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

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