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Sic chip del circuito integrato dei transistor IMW65R027M1H TO-247-3 dei MOSFETs di potere della fossa

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
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Sic chip del circuito integrato dei transistor IMW65R027M1H TO-247-3 dei MOSFETs di potere della fossa

Sic chip del circuito integrato dei transistor IMW65R027M1H TO-247-3 dei MOSFETs di potere della fossa
SiC Trench Power MOSFETs Transistors IMW65R027M1H TO-247-3 Integrated Circuit Chip
Sic chip del circuito integrato dei transistor IMW65R027M1H TO-247-3 dei MOSFETs di potere della fossa Sic chip del circuito integrato dei transistor IMW65R027M1H TO-247-3 dei MOSFETs di potere della fossa

Grande immagine :  Sic chip del circuito integrato dei transistor IMW65R027M1H TO-247-3 dei MOSFETs di potere della fossa

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: IMW65R027M1H
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-247-3
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union

Sic chip del circuito integrato dei transistor IMW65R027M1H TO-247-3 dei MOSFETs di potere della fossa

Descrizione
Numero del pezzo: IMW65R027M1H Serie: CoolSIC™ M1
Tipo del FET: N-Manica Vuoti a tensione di fonte (Vdss): 650 V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C: 47A (TC) Montaggio del tipo: Attraverso il foro

Sic chip del circuito integrato dei transistor IMW65R027M1H TO-247-3 dei MOSFETs di potere della fossa

 

Descrizione di prodotto di IMW65R027M1H

IMW65R027M1H è dispositivo di potere della fossa di 650V CoolSiC M1 sic, singoli transistor dei MOSFETs dei FETs di N-Manica.

 

Specificazione di IMW65R027M1H

Numero del pezzo IMW65R027M1H
Tecnologia
 
SiCFET (carburo di silicio)
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On)
18V
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs
34mOhm @ 38.3A, 18V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @
5.7V @ 11mA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs
62 nC @ 18 V
Vgs (massimo)
+23V, -5V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds
2131 PF @ 400 V
Dissipazione di potere (massima)
189W (TC)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Pacchetto del dispositivo del fornitore
PG-TO247-3-41


Applicazioni di IMW65R027M1H

  • Infrastruttura di carico di EV
  • Immagazzinamento dell'energia e batteria per il mation
  • Classe Damplifiers

 

Altri tipi di prodotto del rifornimento

Numero del pezzo Pacchetto
CY9BF324MBGL-GK9E1 QFP
SPC5777MK0MVA8 FBGA-512
SPC5634MF2MLQ80 LQFP-144
SPC5645SF1VLT LQFP208
SPC5602PEF0MLL6 LQFP100
SPC5748CBK0AMKU6 HTSSOP14

 

FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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