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chip del circuito integrato del transistor di potenza 8-PowerVDFN di 2N-Channel IAUC60N04S6N031H 6

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

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chip del circuito integrato del transistor di potenza 8-PowerVDFN di 2N-Channel IAUC60N04S6N031H 6

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2N-Channel IAUC60N04S6N031H 6 Power Transistor 8-PowerVDFN Integrated Circuit Chip
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Grande immagine :  chip del circuito integrato del transistor di potenza 8-PowerVDFN di 2N-Channel IAUC60N04S6N031H 6

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: IAUC60N04S6N031H
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: 8-PowerVDFN
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union

chip del circuito integrato del transistor di potenza 8-PowerVDFN di 2N-Channel IAUC60N04S6N031H 6

Descrizione
Numero del pezzo: IAUC60N04S6N031H Montaggio dello stile: SMD/SMT
Identificazione - Corrente continua dello scolo: 113 A Qg - tassa del portone: 23 nC
Palladio - dissipazione di potere: 75 W Resistenza su di Scolo-fonte di RDS: 3,1 mOhms

chip del circuito integrato del transistor di potenza 8-PowerVDFN di 2N-Channel IAUC60N04S6N031H 6

 

Descrizione di prodotto di IAUC60N04S6N031H

IAUC60N04S6N031H è basato sulla tecnologia ottimizzata OptiMOS™6. La cartella fornisce un'ampia gamma di RDS (SOPRA) da mΩ 3,0 a mΩ 7,0 ed alla valutazione corrente aumentata della scheda di 60A.

 

Specificazione di IAUC60N04S6N031H

Numero del pezzo IAUC60N04S6N031H
IoD (@25°C) massimo 60 A
Min di temperatura di funzionamento massimo -55 °C del °C 175
Pacchetto PG-TDSON-8
QG(tipo @10V) massimo 23 nC
Qualificazione Automobilistico
RDS (sopra)(@10V) massimo mΩ 3,1
Tecnologia OptiMOS™-6
VDSmassimo 40 V
VGS (Th)min 2,2 V; 3 V


Caratteristiche di IAUC60N04S6N031H

  • OptiMOS™ - MOSFET di potere per le applicazioni automobilistiche
  • Mezzo ponte - N-Manica - modo di potenziamento - livello normale
  • La CEA Q101 si è qualificata
  • MSL1 fino a riflusso del picco 260°C
  • temperatura di funzionamento 175°C
  • Prodotto verde (RoHS compiacente)
  • La valanga 100% ha provato

 

Altri tipi di prodotto del rifornimento

Numero del pezzo Pacchetto
MSC025SMA120 Modulo
MSCSM170AM15CT3AG Modulo
MSCSM170AM23CT1AG Modulo
MSCSM170AM45CT1AG Modulo
MSCSM170AM058CD3AG Modulo
MSCSM170AM039CT6AG Modulo

 

FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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