Fermata di campo ad alta velocità della fossa dei transistor IKQ100N120CH7XKSA1 IGBT di 1200V 166A

Fermata di campo ad alta velocità della fossa dei transistor IKQ100N120CH7XKSA1 IGBT di 1200V 166A

Descrizione di prodotto di IKQ100N120CH7XKSA1

Il IKQ100N120CH7XKSA1 duro ha commutato 1200 V, 100 la A TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 che il dispositivo discreto in un pacchetto del perno di TO-247PLUS 3 è destinato per soddisfare le esigenze delle applicazioni a basso tenore di carbonio quale il PV solare, gruppi di continuità e caricarsi di batteria.

Attributi di prodotto di IKQ100N120CH7XKSA1

Caratteristiche di IKQ100N120CH7XKSA1

• VCE = 1200 V
• IC = 100 A
• Temperatura di giunzione massima Tvjmax = 175°C
• IGBT ad alta velocità classe miglirice confezionato co con la corrente nominale completa, Qrr basso ed il diodo ad alta velocità morbido commutante
• Tensione di saturazione bassa VCEsat = 1,7 V a Tvj = a 25°C

Applicazioni di IKQ100N120CH7XKSA1

• UPS industriale
• EV-carico

Altri tipi di prodotto del rifornimento

FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.