Transistor elettronici di arresto di campo della fossa dei circuiti integrati IKW30N65ET7XKSA1 IGBT

Transistor elettronici di arresto di campo della fossa dei circuiti integrati IKW30N65ET7XKSA1 IGBT

Descrizione di prodotto di IKW30N65ET7XKSA1

IKW30N65ET7XKSA1 è un cortocircuito efficiente IGBT discreto irregolare che fornisce almeno la tensione di saturazione più bassa di 10% che altre.

Specificazione di IKW30N65ET7XKSA1

Caratteristiche di IKW30N65ET7XKSA1

• EMI riduttrice

• Progettazione robusta di umidità

• Diodo antiparallelo di recupero molto morbido e veloce

Altri tipi di prodotto del rifornimento

FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.