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Casa ProdottiChip del circuito integrato

fermata di campo della fossa dei transistor IKW40N120CS7XKSA1 357W IGBT di 1200V IGBT TO-247-3

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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fermata di campo della fossa dei transistor IKW40N120CS7XKSA1 357W IGBT di 1200V IGBT TO-247-3

fermata di campo della fossa dei transistor IKW40N120CS7XKSA1 357W IGBT di 1200V IGBT TO-247-3
fermata di campo della fossa dei transistor IKW40N120CS7XKSA1 357W IGBT di 1200V IGBT TO-247-3

Grande immagine :  fermata di campo della fossa dei transistor IKW40N120CS7XKSA1 357W IGBT di 1200V IGBT TO-247-3

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: IKW40N120CS7XKSA1
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-247-3
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union
Contatto

fermata di campo della fossa dei transistor IKW40N120CS7XKSA1 357W IGBT di 1200V IGBT TO-247-3

Descrizione
Numero del pezzo: IKW40N120CS7XKSA1 Tensione massima dell'emettitore del portone: - 20 V, 20 V
Corrente di collettore continua a 25 C: 82 A Palladio - dissipazione di potere: 357 W
Corrente di perdita dell'Portone-emettitore: Na 100 Tipologia di prodotto: Transistor IGBT

fermata di campo della fossa dei transistor IKW40N120CS7XKSA1 357W IGBT di 1200V IGBT TO-247-3

 

Descrizione di prodotto di IKW40N120CS7XKSA1

IKW40N120CS7XKSA1 è Duro commutazione 1200 V, 40 UN TRENCHSTOP™ IGBT7 S7 discreto con il diodo antiparallelo in pacchetto TO-247 con il diodo EC7 dentro.

 

Specificazione di IKW40N120CS7XKSA1

Numero del pezzo: IKW40N120CS7XKSA1
Categoria di prodotto: Transistor di IGBT
Si
TO-247-3
Attraverso il foro
Singolo
1,2 chilovolt
1,65 V


Caratteristiche di IKW40N120CS7XKSA1

  • VCEsat basso stesso
  • Buona controllabilità
  • Diodo spingente libero stimato pieno con morbidezza migliore
  • Robustezza contro lo stato duro e HV-H3TRB
  • 8 noi tempo di cortocircuito
  • distribuzione molto stretta di parametro
  • Tj di funzionamento massimo di 175°C

 

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FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

 

Prodotto Tag:

Chip 24-PQFN del circuito integrato,

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Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

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