Chip del circuito integrato dei transistor IKQ75N120CS7XKSA1 di arresto di campo della fossa di IGBT

Chip del circuito integrato dei transistor IKQ75N120CS7XKSA1 di arresto di campo della fossa di IGBT

Descrizione di prodotto di IKQ75N120CS7XKSA1

IKQ75N120CS7XKSA1 consegna l'irregolarità superiore di cortocircuito e della controllabilità. Ulteriormente, il dispositivo caratterizza la prestazione elettrica eccellente, il più alta controllabilità, una progettazione facile di EMI e il più alta affidabilità negli stati duri dell'applicazione.

Specificazione di IKQ75N120CS7XKSA1

Caratteristiche di IKQ75N120CS7XKSA1

• Il cortocircuito resiste al periodo (SCWT) di 8µs

• Densità di alto potere

• Irregolarità ad alta tensione migliore di umidità

Altri tipi di prodotto del rifornimento

FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.