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Chip TO-247-3 650V del circuito integrato di arresto di campo della fossa di IGBT IKW40N65ET7XKSA1

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
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Chip TO-247-3 650V del circuito integrato di arresto di campo della fossa di IGBT IKW40N65ET7XKSA1

Chip TO-247-3 650V del circuito integrato di arresto di campo della fossa di IGBT IKW40N65ET7XKSA1
IGBT Trench Field Stop IKW40N65ET7XKSA1 Integrated Circuit Chip TO-247-3 650V
Chip TO-247-3 650V del circuito integrato di arresto di campo della fossa di IGBT IKW40N65ET7XKSA1 Chip TO-247-3 650V del circuito integrato di arresto di campo della fossa di IGBT IKW40N65ET7XKSA1

Grande immagine :  Chip TO-247-3 650V del circuito integrato di arresto di campo della fossa di IGBT IKW40N65ET7XKSA1

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: IKW40N65ET7XKSA1
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-247-3
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union

Chip TO-247-3 650V del circuito integrato di arresto di campo della fossa di IGBT IKW40N65ET7XKSA1

Descrizione
Numero del pezzo: IKW40N65ET7XKSA1 Tipo di IGBT: Fermata di campo della fossa
Energia di commutazione: 1.05mJ (sopra), 590µJ (fuori) Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI: 1.65V @ 15V, 40A
Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore: 1,65 V Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima: 1,2 chilovolt

Chip TO-247-3 650V del circuito integrato di arresto di campo della fossa di IGBT IKW40N65ET7XKSA1

 

Descrizione di prodotto di IKW40N65ET7XKSA1

IKW40N65ET7XKSA1 è Duro commutazione 650 V, 40 Un IGBT con il diodo antiparallelo in pacchetto TO-247. Questa gamma ottimizzata la prestazione della parte ha controllabilità premio per la migliore EMI mentre commutano le perdite sono più basse di precedenti tecnologie.

 

Specificazione di IKW40N65ET7XKSA1

Numero del pezzo IKW40N65ET7XKSA1
VCE (si è seduto) 1,35 V
VCEmassimo 650 V
VF 1,65 V
td (fuori) 330 NS
td (sopra) 19 NS
tf 17 NS
tr 9 NS


Caratteristiche di IKW40N65ET7XKSA1

  • EMI riduttrice
  • VCEsat basso stesso
  • Breve corrente della coda
  • Perdite basse di giro-fuori
  • Progettazione robusta di umidità
  • Temperatura di giunzione massima 175°C
  • placcatura senza Pb del cavo; RoHS compiacente
  • Diodo antiparallelo di recupero molto morbido e veloce
  • Qualificato secondo JEDEC per le applicazioni dell'obiettivo

 

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Numero del pezzo Pacchetto
MSC035SMA070S TO-268-2
MSC090SMA070B TO-247-3
MSC090SMA070S TO-268-2
MSC750SMA170B TO-247-3
MSC750SMA170B4 TO-247-4
MSC750SMA170S TO-268-2

 

FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

 

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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