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Chip del circuito integrato di Chips High Speed CMOS FBGA24 di memoria S80KS5123GABHV020

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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Chip del circuito integrato di Chips High Speed CMOS FBGA24 di memoria S80KS5123GABHV020

Chip del circuito integrato di Chips High Speed CMOS FBGA24 di memoria S80KS5123GABHV020
Chip del circuito integrato di Chips High Speed CMOS FBGA24 di memoria S80KS5123GABHV020

Grande immagine :  Chip del circuito integrato di Chips High Speed CMOS FBGA24 di memoria S80KS5123GABHV020

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: S80KS5123GABHV020
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: 24-FBGA (6x8)
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union

Chip del circuito integrato di Chips High Speed CMOS FBGA24 di memoria S80KS5123GABHV020

Descrizione
Numero della parte: S80KS5123GABHV020 Organizzazione della memoria: 64M x 8
Corrente del rifornimento - massima: 44 mA In profondità spenga (°C) 105: μA 30
Tempo di accesso massimo, (tACC): 35 ns Flusso di dati: Fino a 400 MBps (3.200 Mbps)
Evidenziare:

S80KS5123GABHV020

,

Chip di memoria ad alta velocità di CMOS

,

Chip del circuito integrato FBGA24

Chip ad alta velocità del circuito integrato dei chip di memoria FBGA24 di CMOS S80KS5123GABHV020

 

Descrizione di prodotto di S80KS5123GABHV020

S80KS5123GABHV020 è 512MBit 1,8 V HYPERRAM™ auto-rinfresca la memoria RAM dinamica (DRAM) con l'interfaccia ottale del xSPI, industriale (105°C) GEN 2,0 del xSPI HYPERRAM (ottale) in 24-FBGA.

 

Specificazione di S80KS5123GABHV020

Numero del pezzo: S80KS5123GABHV020
HyperRAM
SMD/SMT
FBGA-24
bit 8
64 m. x 8
512 Mbit
200 megahertz
35 NS


Caratteristiche di S80KS5123GABHV020

  • Tecnologia: 25 nanometro DRAM
  • L'input durante scrive le transazioni così scrive maschera di dati
  • Flusso di dati fino a 400 MBps (3.200 Mbps)
  • Modi di potere: Lo sleep mode ibrido, profondo spegne

 

Altri componenti elettronici in azione

Numero del pezzo Pacchetto
TPS62402DRCR QFN10
N25Q256A73ESF40F SOP16
LD39150DT33 TO-252
B2B-PH-K-S SMD
NCP1117STAT3G SOT223
SGB8206ANTF4G TO-263

 

FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

 

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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