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S70KL1282GABHB020 IC scheggia lo pseudo SRAM supporto di superficie di IC 24-FBGA di memoria di 128Mbit

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

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S70KL1282GABHB020 IC scheggia lo pseudo SRAM supporto di superficie di IC 24-FBGA di memoria di 128Mbit

S70KL1282GABHB020 IC scheggia lo pseudo SRAM supporto di superficie di IC 24-FBGA di memoria di 128Mbit
S70KL1282GABHB020 IC scheggia lo pseudo SRAM supporto di superficie di IC 24-FBGA di memoria di 128Mbit S70KL1282GABHB020 IC scheggia lo pseudo SRAM supporto di superficie di IC 24-FBGA di memoria di 128Mbit

Grande immagine :  S70KL1282GABHB020 IC scheggia lo pseudo SRAM supporto di superficie di IC 24-FBGA di memoria di 128Mbit

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: S70KL1282GABHB020
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: 24-VBGA
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union

S70KL1282GABHB020 IC scheggia lo pseudo SRAM supporto di superficie di IC 24-FBGA di memoria di 128Mbit

Descrizione
Numero della parte: S70KL1282GABHB020 Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina: 35ns
Supporto dell'interfaccia: 1,8 V/3,0 V Interfaccia della memoria: HyperBus
Flusso di dati: Fino a 400 MBps (3.200 Mbps) Serie: HyperRAM™ chilolitro
Evidenziare:

Chip di S70KL1282GABHB020 IC

,

S70KL1282GABHB020

,

Pseudo memoria IC di SRAM del supporto di superficie

128Mbit IC scheggia lo pseudo SRAM supporto di superficie di IC 24-FBGA di memoria di S70KL1282GABHB020

 

Descrizione di prodotto di S70KL1282GABHB020

S70KL1282GABHB020 è memoria IC, interfaccia di HYPERBUS™, 1,8 V/3.0 V, pacchetto di 128Mbit PSRAM (pseudo SRAM) è 24-FBGA (6x8).

 

Specificazione di S70KL1282GABHB020

Numero del pezzo: S70KL1282GABHB020 Impiegati di punta di riflusso: °C 260
Interfaccia di memoria: SPI - Ingresso/uscita ottale Tipo di prodotto: DRAM
Appoggio (CS# = VCC = 2,0 V, °C) 105: µA 330 Dimensione: 6mm x 8mm


Caratteristiche di S70KL1282GABHB020

  • Una frequenza di clock massima di 200 megahertz
  • Tecnologia: 38 nanometro DRAM
  • Frequenza di clock massima a 1,8 V VCC/VCCQ: 200 megahertz
  • Lo scoppio ha letto o scrive (scoppio lineare a 200 megahertz, 3,0 V): 60 mA

 

Altri componenti elettronici in azione

Numero del pezzo Pacchetto
IXGH24N60C4D1 TO-247
IXFL82N60P TO-264
IXA33IF1200HB TO-247
DH60-14A TO247-2
IXGH40N120C3D1 TO-247
IXKT70N60C5 TO-268

 

FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

 

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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