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Memoria Chips Self Refresh DRAM 24-FBGA 64Mbit HyperBus di S27KS0642GABHI033 200MHz

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

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Memoria Chips Self Refresh DRAM 24-FBGA 64Mbit HyperBus di S27KS0642GABHI033 200MHz

Memoria Chips Self Refresh DRAM 24-FBGA 64Mbit HyperBus di S27KS0642GABHI033 200MHz
Memoria Chips Self Refresh DRAM 24-FBGA 64Mbit HyperBus di S27KS0642GABHI033 200MHz Memoria Chips Self Refresh DRAM 24-FBGA 64Mbit HyperBus di S27KS0642GABHI033 200MHz

Grande immagine :  Memoria Chips Self Refresh DRAM 24-FBGA 64Mbit HyperBus di S27KS0642GABHI033 200MHz

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: S27KS0642GABHI033
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: 24-VBGA
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union

Memoria Chips Self Refresh DRAM 24-FBGA 64Mbit HyperBus di S27KS0642GABHI033 200MHz

Descrizione
Numero della parte: S27KS0642GABHI033 Organizzazione della memoria: 8M x 8
Larghezza di banda dell'interfaccia: 400 MByte/s Pacco: 24-ball FBGA
Tempo di accesso: 35 ns Appoggio (CS# = VCC = 3,6 V, 105°C): µA 360
Evidenziare:

S27KS0642GABHI033

,

chip di memoria 200MHz

,

Chip di memoria di HyperBus

200MHz l'auto dei chip di memoria S27KS0642GABHI033 rinfresca il DRAM 24-FBGA 64Mbit HyperBus

 

Descrizione di prodotto di S27KS0642GABHI033

S27KS0642GABHI033 è un CMOS ad alta velocità, auto-rinfresca il DRAM, con l'interfaccia di HYPERBUS™, pseudo memoria IC di SRAM. La matrice di DRAM usa le cellule dinamiche che richiedono periodico rinfrescano.

 

Specificazione di S27KS0642GABHI033

Numero del pezzo: S27KS0642GABHI033 Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina: 35ns
Supporto dell'interfaccia: 1,8 V/3,0 V Interfaccia di memoria: HyperBus
Flusso di dati: Fino a 400 MBps (3.200 Mbps) Serie: HyperRAM™ chilolitro


Caratteristiche di S27KS0642GABHI033

  • Interfaccia di HYPERBUS™, 1,8 V/3.0 V
  • Matrice parziale di memoria (1/8, 1/4, 1/2, ecc)
  • 64Mb HYPERRAM™ auto-rinfrescano il DRAM (PSRAM)
  • Durante le transazioni colte RWDS è compensato da un secondo orologio, sfasamento dalle CK

 

Altri componenti elettronici in azione

Numero del pezzo Pacchetto
MWI50-06A7 Modulo
A4931METTR QFN-28
DS89C21TMX SOP8
LM2841YMK-ADJL SOT23-6
LT1934IS6 SPT23-6
BSL302SN SOT23-6

 

FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

 

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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