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Chip di memoria 24-FBGA del chip 128Mbit PSRAM del circuito integrato S70KS1282GABHV020

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
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Chip di memoria 24-FBGA del chip 128Mbit PSRAM del circuito integrato S70KS1282GABHV020

Chip di memoria 24-FBGA del chip 128Mbit PSRAM del circuito integrato S70KS1282GABHV020
S70KS1282GABHV020 Integrated Circuit Chip 128Mbit PSRAM Memory Chips 24-FBGA
Chip di memoria 24-FBGA del chip 128Mbit PSRAM del circuito integrato S70KS1282GABHV020 Chip di memoria 24-FBGA del chip 128Mbit PSRAM del circuito integrato S70KS1282GABHV020

Grande immagine :  Chip di memoria 24-FBGA del chip 128Mbit PSRAM del circuito integrato S70KS1282GABHV020

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: S70KS1282GABHV020
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: 24-FBGA
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union

Chip di memoria 24-FBGA del chip 128Mbit PSRAM del circuito integrato S70KS1282GABHV020

Descrizione
Numero della parte: S70KS1282GABHV020 Corrente del rifornimento - massima: 60 mA
Tempo di accesso: 35 ns Organizzazione: 16 m. x 8
Frequenza di clock massima: 200 MHz Stile di montaggio: SMD/SMT
Evidenziare:

S70KS1282GABHV020

,

"chi" del circuito integrato di memoria di PSRAM

,

chip di memoria di 128Mbit PSRAM

Chip di memoria 24-FBGA del chip S70KS1282GABHV020 128Mbit PSRAM del circuito integrato

 

Descrizione di prodotto di S70KS1282GABHV020

S70KS1282GABHV020 128Mb HYPERRAM™ è un chip del impilare-dado facendo uso dei due 64 dadi di Mb. Soltanto uno muore per volta può essere programmato per entrare nello sleep mode ibrido o in profondità per spegnere il modo.

 

Specificazione di S70KS1282GABHV020

Numero del pezzo S70KS1282GABHV020
Tecnologia
PSRAM (pseudo SRAM)
Capacità di memoria
128Mbit
Organizzazione di memoria
16M x 8
Interfaccia di memoria
HyperBus
Frequenza di clock
200 megahertz
Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina
35ns
Tempo di Access
35 NS
Tensione - rifornimento
1.7V ~ 2V
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 105°C (TUM)


Caratteristiche di S70KS1282GABHV020

  • Lo scoppio ha letto o scrive (scoppio lineare a 200 megahertz, 1,8 V): 50 mA
  • Appoggio (CS# = VCC = 3,6 V, 105°C): µA 750
  • In profondità spenga (CS# = VCC = 3,6 V, 105°C): µA 360
  • L'input durante scrive le transazioni così scrive maschera di dati
  • La RDT facoltativa centro-ha allineato lo stroboscopio colto (DCARS)

 

Altri componenti elettronici in azione

Numero del pezzo Pacchetto
S29PL032J55BFI12 BGA48
W972GG8KB25I BGA
CSD97396Q4M VSON8
CR1510-06 SOP-7
DS34T104GN BGA484
AD8475ARMZ MSOP10

 

FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

 

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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