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Transistor automobilistici 650V del MOSFET del grado dei transistor IPBE65R075CFD7AATMA1 TO-263-7

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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Transistor automobilistici 650V del MOSFET del grado dei transistor IPBE65R075CFD7AATMA1 TO-263-7

Transistor automobilistici 650V del MOSFET del grado dei transistor IPBE65R075CFD7AATMA1 TO-263-7
Transistor automobilistici 650V del MOSFET del grado dei transistor IPBE65R075CFD7AATMA1 TO-263-7 Transistor automobilistici 650V del MOSFET del grado dei transistor IPBE65R075CFD7AATMA1 TO-263-7

Grande immagine :  Transistor automobilistici 650V del MOSFET del grado dei transistor IPBE65R075CFD7AATMA1 TO-263-7

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: IPBE65R075CFD7AATMA1
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-263-7
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union

Transistor automobilistici 650V del MOSFET del grado dei transistor IPBE65R075CFD7AATMA1 TO-263-7

Descrizione
Numero del pezzo: IPBE65R075CFD7AATMA1 Resistenza su di Scolo-fonte di RDS: 139 mOhms
Vgs - tensione di Portone-fonte: - 20 V, + 20 V Th di Vgs - tensione della soglia di Portone-fonte: 4 V
Qg - tassa del portone: 68 nC Temperatura di funzionamento minima: - 55 C

Transistor automobilistici 650V del MOSFET del grado dei transistor IPBE65R075CFD7AATMA1 TO-263-7

 

Descrizione di prodotto di IPBE65R075CFD7AATMA1

IPBE65R075CFD7AATMA1 è MOSFET CFD7A di potere del automobilistico-grado SJ di N-Manica di 650V CoolMOS™ offre l'affidabilità e la densità di potenza aumentate con la flessibilità migliorata di progettazione.

 

Specificazione di IPBE65R075CFD7AATMA1

Numero del pezzo: IPBE65R075CFD7AATMA1
Si
SMD/SMT
TO-263-7-11
N-Manica
1 Manica
650 V
32 A


Caratteristiche di IPBE65R075CFD7AATMA1

  • Tensioni della batteria fino a 475V senza norme di compromesso di affidabilità
  • Miglioramento di efficienza fino a 98,4% per le topologie di commutazione dure e morbide
  • Diodo veloce inerente Qrr 30% del corpo più basso di CoolMOS™ CFDA

 

Altri componenti elettronici in azione

Numero del pezzo Pacchetto
IRMCF188TY LQFP64
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BQ24091DGQR HVSSOP-10
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FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

 

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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