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Transistor 8-PowerTDFN del MOSFET di N-Manica del chip BSZ036NE2LSATMA1 del circuito integrato

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
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—— Nishikawa dal Giappone

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Transistor 8-PowerTDFN del MOSFET di N-Manica del chip BSZ036NE2LSATMA1 del circuito integrato

Transistor 8-PowerTDFN del MOSFET di N-Manica del chip BSZ036NE2LSATMA1 del circuito integrato
Integrated Circuit Chip BSZ036NE2LSATMA1 N-Channel MOSFET Transistors 8-PowerTDFN
Transistor 8-PowerTDFN del MOSFET di N-Manica del chip BSZ036NE2LSATMA1 del circuito integrato Transistor 8-PowerTDFN del MOSFET di N-Manica del chip BSZ036NE2LSATMA1 del circuito integrato

Grande immagine :  Transistor 8-PowerTDFN del MOSFET di N-Manica del chip BSZ036NE2LSATMA1 del circuito integrato

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: BSZ036NE2LSATMA1
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: 8-PowerTDFN
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union

Transistor 8-PowerTDFN del MOSFET di N-Manica del chip BSZ036NE2LSATMA1 del circuito integrato

Descrizione
Numero del pezzo: BSZ036NE2LSATMA1 Temperatura di funzionamento massima: + 150 C
Palladio - dissipazione di potere: 37 W Modo di Manica: Potenziamento
Tempo di caduta: 2,2 NS Configurazione: singolo

Transistor 8-PowerTDFN del MOSFET di N-Manica del chip BSZ036NE2LSATMA1 del circuito integrato

 

Descrizione di prodotto di BSZ036NE2LSATMA1

BSZ036NE2LSATMA1 è transistor del MOSFET di potere di N-Manica, estremamente - il portone basso e la tassa dell'uscita, combinata con la resistenza molto bassa dello su stato e la dimensione del piccolo pacchetto, operano a OptiMOS™ 25V la migliore scelta per le soluzioni richiedenti del regolatore di tensione del server, di datacom e di comunicazione.

 

Specificazione di BSZ036NE2LSATMA1

Numero del pezzo: BSZ036NE2LSATMA1
4,1 mOhms
- 20 V, + 20 V
2 V
16 nC
- 55 C


Caratteristiche di BSZ036NE2LSATMA1

  • Comprima il costo del sistema globale riducendo il numero delle fasi in una conversione multifase
  • Riduca il consumo di energia e migliori l'efficienza in tutti gli stati del carico
  • Risparmio di spazio con le soluzioni del sistema impaccato o del piccolo pacchetto quali CanPAK™, S3O8, ecc.
  • Riduca significativamente il sistema EMI, eliminante l'esigenza delle reti esterne dell'amplificatore e rendente i prodotti più facili progettare in

 

Altri componenti elettronici in azione

Numero del pezzo Pacchetto
STPA001 ZIP-27
BCM43570KFFBG BGA
RE46C104S14TF SOP14
LNK6663E ESIP6
TLV316IDBVR SOT23-5
MAX4246AKA SOT23-8

 

FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

 

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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