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Chip TO-263-8 del circuito integrato dei transistor IMBG65R039M1HXTMA1 del carburo di silicio

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

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Chip TO-263-8 del circuito integrato dei transistor IMBG65R039M1HXTMA1 del carburo di silicio

Chip TO-263-8 del circuito integrato dei transistor IMBG65R039M1HXTMA1 del carburo di silicio
Chip TO-263-8 del circuito integrato dei transistor IMBG65R039M1HXTMA1 del carburo di silicio Chip TO-263-8 del circuito integrato dei transistor IMBG65R039M1HXTMA1 del carburo di silicio

Grande immagine :  Chip TO-263-8 del circuito integrato dei transistor IMBG65R039M1HXTMA1 del carburo di silicio

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: IMBG65R039M1HXTMA1
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-263-8
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union

Chip TO-263-8 del circuito integrato dei transistor IMBG65R039M1HXTMA1 del carburo di silicio

Descrizione
Numero del pezzo: IMBG65R039M1HXTMA1 RDS (acceso) (@ Tj = 25°C): mΩ 39
VDS max: 650 V Qg - tassa del portone: 41 nC
Identificazione - corrente continua dello scolo: 54 A Tecnologia: SiCFET (carburo di silicio)

Chip TO-263-8 del circuito integrato dei transistor IMBG65R039M1HXTMA1 del carburo di silicio

 

Descrizione di prodotto di IMBG65R039M1HXTMA1

IMBG65R039M1HXTMA1 è dispositivo di potere della fossa di N-Manica 650V CoolSiC M1 sic, sviluppato sopra la tecnologia solida del carburo di silicio.

 

Specificazione di IMBG65R039M1HXTMA1

Numero del pezzo IMBG65R039M1HXTMA1
IoD (@25°C) massimo 54 A
Min di temperatura di funzionamento massimo -55 °C del °C 175
Pbimbettomassimo 211 W
Polarità N
Qualificazione Industriale


Caratteristiche di IMBG65R039M1HXTMA1

  • Diodo veloce robusto del corpo di commutazione
  • Costo e complessità di sistema riduttori
  • Più alte robustezza e affidabilità del sistema

 

Applicazioni di IMBG65R039M1HXTMA1

  • Server
  • Le Telecomunicazioni
  • Alimentazione elettrica di commutazione (SMPS)

 

Altri componenti elettronici in azione

Numero del pezzo Pacchetto
PEX8733-CA80Because BGA
SN65LV1224BRHBT QFN-32
CS5480-INZR QFN24
IPG20N06S4L-14 TDSON-8
TL16C554FNR PLCC68
MC14538BDWR2G SOP16

 

FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

 

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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