Dettagli:
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Numero del pezzo: | IMBG65R039M1HXTMA1 | RDS (acceso) (@ Tj = 25°C): | mΩ 39 |
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VDS max: | 650 V | Qg - tassa del portone: | 41 nC |
Identificazione - corrente continua dello scolo: | 54 A | Tecnologia: | SiCFET (carburo di silicio) |
Chip TO-263-8 del circuito integrato dei transistor IMBG65R039M1HXTMA1 del carburo di silicio
Descrizione di prodotto di IMBG65R039M1HXTMA1
IMBG65R039M1HXTMA1 è dispositivo di potere della fossa di N-Manica 650V CoolSiC M1 sic, sviluppato sopra la tecnologia solida del carburo di silicio.
Specificazione di IMBG65R039M1HXTMA1
Numero del pezzo | IMBG65R039M1HXTMA1 |
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IoD (@25°C) massimo | 54 A |
Min di temperatura di funzionamento massimo | -55 °C del °C 175 |
Pbimbettomassimo | 211 W |
Polarità | N |
Qualificazione | Industriale |
Caratteristiche di IMBG65R039M1HXTMA1
Applicazioni di IMBG65R039M1HXTMA1
Altri componenti elettronici in azione
Numero del pezzo | Pacchetto |
PEX8733-CA80Because | BGA |
SN65LV1224BRHBT | QFN-32 |
CS5480-INZR | QFN24 |
IPG20N06S4L-14 | TDSON-8 |
TL16C554FNR | PLCC68 |
MC14538BDWR2G | SOP16 |
FAQ
Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.
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