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Chip del circuito integrato dei transistor BSZ050N03LSGATMA1 8-PowerTDFN del MOSFET di potere

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
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—— Nishikawa dal Giappone

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Chip del circuito integrato dei transistor BSZ050N03LSGATMA1 8-PowerTDFN del MOSFET di potere

Chip del circuito integrato dei transistor BSZ050N03LSGATMA1 8-PowerTDFN del MOSFET di potere
Chip del circuito integrato dei transistor BSZ050N03LSGATMA1 8-PowerTDFN del MOSFET di potere Chip del circuito integrato dei transistor BSZ050N03LSGATMA1 8-PowerTDFN del MOSFET di potere

Grande immagine :  Chip del circuito integrato dei transistor BSZ050N03LSGATMA1 8-PowerTDFN del MOSFET di potere

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: BSZ050N03LSGATMA1
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: 8-PowerTDFN
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union

Chip del circuito integrato dei transistor BSZ050N03LSGATMA1 8-PowerTDFN del MOSFET di potere

Descrizione
Numero del pezzo: BSZ050N03LSGATMA1 Palladio - dissipazione di potere: 50 W
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs: 35 nC @ 10 V IDpuls (massimo): 160 A
Tecnologia: MOSFET (ossido di metallo) Qg - tassa del portone: 26 nC

Chip del circuito integrato dei transistor BSZ050N03LSGATMA1 8-PowerTDFN del MOSFET di potere

 

Descrizione di prodotto di BSZ050N03LSGATMA1

BSZ050N03LSGATMA1 estremamente - le spese basse dell'uscita e del portone, combinate con la dimensione pacchetto del piccolo e della su resistenza molto bassa, operano a OptiMOS™ 25V la migliore scelta per il server richiedente, il datacom e le soluzioni del regolatore di tensione di comunicazione.

 

Specificazione di BSZ050N03LSGATMA1

Numero del pezzo BSZ050N03LSGATMA1
Tipo del FET
N-Manica
Vuoti a tensione di fonte (Vdss)
30 V
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs
5mOhm @ 20A, 10V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @
2.2V @ 250µA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs
35 nC @ 10 V


Caratteristiche di BSZ050N03LSGATMA1

  • Riduce la perdita di potere
  • Estremamente - tassa bassa dell'uscita e del portone
  • La prestazione migliore di EMI, nessuna rete esterna dell'amplificatore ha richiesto

 

Altri componenti elettronici in azione

Numero del pezzo Pacchetto
1473565-4 SMD
BCM54618SEA2KFBG BGA
MCC225-16IO1 Modulo
SP3072EEN SOP8
SI2151-A10 QFN24
CY7C1354CV25-200AXC TQFP100

 

FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

 

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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