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Moduli automobilistici dei moduli 158W IGBT del silicio del modulo di potere NXH80T120L2Q0S2G IGBT

Name: Moduli automobilistici dei moduli 158W IGBT del silicio del modulo di potere NXH80T120L2Q0S2G IGBT
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: NXH80T120L2Q0S2G
Availability: InStock

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(1884)

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(2435)

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(232)

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Certificazione

La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni

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È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

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Moduli automobilistici dei moduli 158W IGBT del silicio del modulo di potere NXH80T120L2Q0S2G IGBT

Grande immagine : Moduli automobilistici dei moduli 158W IGBT del silicio del modulo di potere NXH80T120L2Q0S2G IGBT

Dettagli:

Luogo di origine:	CN
Marca:	Original Factory
Certificazione:	Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello:	NXH80T120L2Q0S2G

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	10
Prezzo:	Contact for Sample
Imballaggi particolari:	modulo
Tempi di consegna:	5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento:	T/T, L/C, Western Union

Contatto

Moduli automobilistici dei moduli 158W IGBT del silicio del modulo di potere NXH80T120L2Q0S2G IGBT

Descrizione

Numero del pezzo:	NXH80T120L2Q0S2G	Corrente di perdita dell'Portone-emettitore:	Na 300
Palladio - dissipazione di potere:	158 W	Categoria di prodotto:	Moduli di IGBT
Tensione di Gate−Emitter:	±20V	Dimensione:	65,9 millimetri x X12 millimetro di 32,5 millimetri

Moduli automobilistici dei moduli 158W IGBT del silicio del modulo di potere NXH80T120L2Q0S2G IGBT

Descrizione di prodotto di NXH80T120L2Q0S2G

NXH80T120L2Q0S2G la fossa integrata IGBTs di arresto di campo e diodi veloci di recupero forniscono le perdite più basse della conduzione e le perdite di commutazione, permettendo ai progettisti di raggiungere l'alta efficienza e l'affidabilità superiore.

Specificazione di NXH80T120L2Q0S2G

Numero del pezzo:	NXH80T120L2Q0S2G
Prodotto:	Moduli del silicio di IGBT
Configurazione:	Mezzo ponte
Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima:	1,2 chilovolt
Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore:	2,05 V
Corrente di collettore continua a 25 C:	80 A

Rappresentazione schematica di NXH80T120L2Q0S2G

Moduli automobilistici dei moduli 158W IGBT del silicio del modulo di potere NXH80T120L2Q0S2G IGBT 0

Altri componenti elettronici in azione

Numero del pezzo	Pacchetto
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XC7K325T-1FFG676C	BGA676
XC7K325T-2FBG900I	BGA
XC7K325T-2FF900I	FBGA
XC7K325T-1FF676I	676-FCBGA

FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

Prodotto Tag:

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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