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chip del circuito integrato del transistor 8-DFN del MOSFET di potere di 2N-Channel NTMFD5C470NLT1G

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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chip del circuito integrato del transistor 8-DFN del MOSFET di potere di 2N-Channel NTMFD5C470NLT1G

chip del circuito integrato del transistor 8-DFN del MOSFET di potere di 2N-Channel NTMFD5C470NLT1G
2N-Channel NTMFD5C470NLT1G Power MOSFET Transistor 8-DFN Integrated Circuit Chip
chip del circuito integrato del transistor 8-DFN del MOSFET di potere di 2N-Channel NTMFD5C470NLT1G chip del circuito integrato del transistor 8-DFN del MOSFET di potere di 2N-Channel NTMFD5C470NLT1G

Grande immagine :  chip del circuito integrato del transistor 8-DFN del MOSFET di potere di 2N-Channel NTMFD5C470NLT1G

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: NTMFD5C470NLT1G
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: 8-DFN
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union
Contatto

chip del circuito integrato del transistor 8-DFN del MOSFET di potere di 2N-Channel NTMFD5C470NLT1G

Descrizione
Numero della parte: NTMFD5C470NLT1G Potenza - Max: 3W (tum), 24W (TC)
Dimensione: 5mm x 6mm Tensione di Gate−to−Source: ± 20V
Confezione / Cassa: 8-PowerTDFN Temperatura di funzionamento: -55°C ~ 175°C (TJ)

 2N-Channel NTMFD5C470NLT1G Power MOSFET Transistor 8-DFN chip di circuito integrato

 

Descrizione del prodottoNTMFD5C470NLT1G

NTMFD5C470NLT1G è Dual N-Channel 40V, 11.511.5mOhm, 36A Potenza MOSFET transistor.

 

Specifica diNTMFD5C470NLT1G

Numero della parte NTMFD5C470NLT1G
Tecnologia
MOSFET (ossido metallico)
Configurazione
2 canale N (doppia)
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss)
40 V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C
11A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.5mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 20μA


Caratteristiche di NTMFD5C470NLT1G

  • Piccola impronta (5x6 mm) per il design compatto
  • Basso RDS (on) per ridurre al minimo le perdite di conduzione
  • Basso QG e capacità di ridurre al minimo le perdite dei conducenti
  • Prova dell'impulso: larghezza dell'impulso 300 s, ciclo di lavoro 2%.
  • Questi dispositivi sono privi di Pb−, di alogeni e di BFR e sono conformi alla RoHS

 

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Domande frequenti

D: I vostri prodotti sono originali?
A: Sì, tutti i prodotti sono originali, nuova importazione originale è il nostro scopo.
D: Quali certificati ha?
R: Siamo una società certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.
D: Potete supportare ordini o campioni in piccole quantità?Il campione è gratuito?
R: Sì, sosteniamo l'ordine di campione e il piccolo ordine. Il costo del campione è diverso a seconda del tuo ordine o progetto.
D: Come spedisco il mio ordine?
R: Usiamo l'espresso per spedire, come DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS. Possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito.I prodotti saranno in buona imballaggio e garantire la sicurezza e siamo responsabili di danni al prodotto al vostro ordine.
D: Che mi dici del tempo di consegna?
R: Possiamo spedire le parti in magazzino entro 5 giorni lavorativi. Se senza magazzino, confermeremo il tempo di consegna in base alla quantità dell'ordine. 

Prodotto Tag:

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Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

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