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Transistor di N-Manica del carburo di silicio del MOSFET del chip NTH4L020N090SC1 484W di IC

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

—— Luis dagli Stati Uniti

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Transistor di N-Manica del carburo di silicio del MOSFET del chip NTH4L020N090SC1 484W di IC

Transistor di N-Manica del carburo di silicio del MOSFET del chip NTH4L020N090SC1 484W di IC
IC Chip NTH4L020N090SC1 484W MOSFET Silicon Carbide N-Channel Transistors
Transistor di N-Manica del carburo di silicio del MOSFET del chip NTH4L020N090SC1 484W di IC Transistor di N-Manica del carburo di silicio del MOSFET del chip NTH4L020N090SC1 484W di IC

Grande immagine :  Transistor di N-Manica del carburo di silicio del MOSFET del chip NTH4L020N090SC1 484W di IC

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: NTH4L020N090SC1
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-247-4
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union
Contatto

Transistor di N-Manica del carburo di silicio del MOSFET del chip NTH4L020N090SC1 484W di IC

Descrizione
Numero del pezzo: NTH4L020N090SC1 Tecnologia: SiCFET (carburo di silicio)
Tipo del FET: N-Manica Stato del prodotto: Attivo
Montaggio del tipo: Attraverso il foro Dissipazione di potere: 484W (TC)

Transistor di N-Manica del carburo di silicio del MOSFET del chip NTH4L020N090SC1 484W di IC

 

Descrizione di prodotto di NTH4L020N090SC1

NTH4L020N090SC1 è MOSFET di 1700V EliteSiC fornisce la prestazione di alto-efficienza e affidabile per l'infrastruttura di energia e le applicazioni industriali dell'azionamento.

 

Specificazione di NTH4L020N090SC1

Numero del pezzo

NTH4L020N090SC1

Stato del prodotto

Attivo

Tipo del FET

N-Manica

Tecnologia

SiCFET (carburo di silicio)

Vuoti a tensione di fonte (Vdss)

900 V


Caratteristiche di NTH4L020N090SC1

  • Tipo. RDS (sopra) = 20 m. @ VGS = 15 V

  • Tipo. RDS (sopra) = 16 m. @ VGS = 18 V

  • Tassa ultrabassa del portone (QG (bimbetto) = 196 nC)

 

Altri tipi di prodotto del rifornimento

Numero del pezzo

Pacchetto

NCP1012AP133G

DIP-7

CY8CLED04-68LFXI

QFN

CY2308SXC-2T

SOP16

CY7C1019CV33-15VI

SOJ32

MTD6502B

TDFN10

XQ4062XL-3CB228M

CQFP228

 

FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

Prodotto Tag:

Chip 24-PQFN del circuito integrato,

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Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

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