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Transistor di superficie del supporto 12-WQFN di matrice 40V 15A del Mosfet di NTTFD4D0N04HLTWG

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

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Transistor di superficie del supporto 12-WQFN di matrice 40V 15A del Mosfet di NTTFD4D0N04HLTWG

Transistor di superficie del supporto 12-WQFN di matrice 40V 15A del Mosfet di NTTFD4D0N04HLTWG
Transistor di superficie del supporto 12-WQFN di matrice 40V 15A del Mosfet di NTTFD4D0N04HLTWG Transistor di superficie del supporto 12-WQFN di matrice 40V 15A del Mosfet di NTTFD4D0N04HLTWG

Grande immagine :  Transistor di superficie del supporto 12-WQFN di matrice 40V 15A del Mosfet di NTTFD4D0N04HLTWG

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: NTTFD4D0N04HLTWG
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: 12-WQFN
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union

Transistor di superficie del supporto 12-WQFN di matrice 40V 15A del Mosfet di NTTFD4D0N04HLTWG

Descrizione
Numero del pezzo: NTTFD4D0N04HLTWG Tecnologia: MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione: 2 N-Manica (doppi) Massimo elettrico: 1.7W (tum), 26W (TC)
Montaggio del tipo: Supporto di superficie Tassa del portone: 18 nC

Transistor di superficie del supporto 12-WQFN di matrice 40V 15A del Mosfet di NTTFD4D0N04HLTWG

 

Descrizione di prodotto di NTTFD4D0N04HLTWG

Il dispositivo di NTTFD4D0N04HLTWG include due MOSFETs specializzati di N−Channel in un pacchetto doppio.

 

Specificazione di NTTFD4D0N04HLTWG

Numero del pezzo

NTTFD4D0N04HLTWG

Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @

2V @ 50µA

Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs

18nC @ 10V

Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds

1100pF @ 20V

Massimo elettrico

1.7W (tum), 26W (TC)

Temperatura di funzionamento

-55°C ~ 150°C (TJ)

 

Caratteristiche di NTTFD4D0N04HLTWG

  • RDS massimo (sopra) = 4,5 m. a VGS = 10 V, identificazione = 10 A

  • RDS massimo (sopra) = 7 m. a VGS = 4,5, identificazione = 8,0 A

  • L'imballaggio basso di induttanza accorcia i tempi di aumento/caduta, con conseguente perdite di commutazione più basse

 

Altri tipi di prodotto del rifornimento

Numero del pezzo

Pacchetto

IKCM30F60GD

MODULO

EPM570GF256C5N

BGA

NTTFS4928NTAG

WDFN-8

DIR9001IPWRQ1

TSSOP28

AAT1145IDE-0.6

TDFN33-10

TPS65181BRGZR

VQFN-48

 

FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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