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Chip MT29F2G08ABBEAH4-AITX del circuito integrato: Chip di memoria flash paralleli di E 2Gbit

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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Chip MT29F2G08ABBEAH4-AITX del circuito integrato: Chip di memoria flash paralleli di E 2Gbit

Chip MT29F2G08ABBEAH4-AITX del circuito integrato: Chip di memoria flash paralleli di E 2Gbit
Chip MT29F2G08ABBEAH4-AITX del circuito integrato: Chip di memoria flash paralleli di E 2Gbit

Grande immagine :  Chip MT29F2G08ABBEAH4-AITX del circuito integrato: Chip di memoria flash paralleli di E 2Gbit

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: MT29F2G08ABBEAH4-AITX: E
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: 63-VFBGA
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union

Chip MT29F2G08ABBEAH4-AITX del circuito integrato: Chip di memoria flash paralleli di E 2Gbit

Descrizione
Numero della parte: MT29F2G08ABBEAH4-AITX: E Tipo di prodotto: Memoria flash NAND
Organizzazione: 256 m. x 8 Dimensione della memoria: 2Gbit
Tensione - Alimentazione (Min): 1.7V Confezione del dispositivo del fornitore: 63-VFBGA (9x11)

Chip MT29F2G08ABBEAH4-AITX del circuito integrato: Chip di memoria flash paralleli di E 2Gbit

 

Descrizione di prodotto di MT29F2G08ABBEAH4-AITX: E

MT29F2G08ABBEAH4-AITX: La E è FLASH parallelo 2Gbit - NAND Memory IC, può immagazzinare 1 bit dei dati per cellula di memoria con colta veloce e scrivere le capacità.

 

Specificazione di MT29F2G08ABBEAH4-AITX: E

Numero del pezzo: MT29F2G08ABBEAH4-AITX: E Tipo cronometrante: Asincrono
Tensione di rifornimento - massima: 1,95 V Tecnologia: FLASH - NAND (SLC)
Montaggio del tipo: Supporto di superficie Pacchetto/caso: VFBGA-63

 

Caratteristiche di MT29F2G08ABBEAH4-AITX: E

  • Ultima generazione di 25nm NAND
  • 1 bit dei dati per cellula di memoria con colta veloce e scrivere le capacità
  • Offre i tempi veloci dello stivale, la resistenza eccellente, l'affidabilità

 

Altri componenti elettronici in azione

Numero del pezzo Pacchetto
89HPES8T5AZBBCG CABGA196
VSC8512XJG-02 BGA-672
BCM53003B0KPBG BGA
BCM1125HB0K400G BGA
RTL8214FC TQFP176
IDT74FCT3807DQGI SSOP20

 

FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

   

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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