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MT29F2G08ABAGAWP-ITE asincrono: FLASH parallelo NAND Memory IC 48-TFSOP di G 2Gbit

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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MT29F2G08ABAGAWP-ITE asincrono: FLASH parallelo NAND Memory IC 48-TFSOP di G 2Gbit

MT29F2G08ABAGAWP-ITE asincrono: FLASH parallelo NAND Memory IC 48-TFSOP di G 2Gbit
Asynchronous MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G 2Gbit Parallel FLASH NAND Memory IC 48-TFSOP
MT29F2G08ABAGAWP-ITE asincrono: FLASH parallelo NAND Memory IC 48-TFSOP di G 2Gbit MT29F2G08ABAGAWP-ITE asincrono: FLASH parallelo NAND Memory IC 48-TFSOP di G 2Gbit

Grande immagine :  MT29F2G08ABAGAWP-ITE asincrono: FLASH parallelo NAND Memory IC 48-TFSOP di G 2Gbit

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: MT29F2G08ABAGAWP-ITE: G
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: 48-TFSOP
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union

MT29F2G08ABAGAWP-ITE asincrono: FLASH parallelo NAND Memory IC 48-TFSOP di G 2Gbit

Descrizione
Numero della parte: MT29F2G08ABAGAWP-ITE: G Casuale colto: 25µs
Programma della pagina: 300µs (TIPO) Temperatura di funzionamento: -40°C ~ 85°C (TA)
Il blocco cancella: 2ms (TIPO)

   Asynchronous MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G 2Gbit Parallel FLASH NAND Memory IC 48-TFSOP

 

Descrizione del prodottoMT2F2G08ABAGAWP-ITE:G

MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G Cella a più livelli (MLC) NAND è popolare per la memorizzazione ad alta densità come SSD, tablet, smartphone e altri dispositivi wireless.

 

Specifica diMT2F2G08ABAGAWP-ITE:G

Numero della parte: MT2F2G08ABAGAWP-ITE:G Organizzazione: 256M x 8
Tipo di memoria: Non volatili Voltaggio - alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Tipo di tempistica: Asincrono Imballaggio / Valigia: 48-TFSOP (0,724", 18,40 mm di larghezza)

 

STB Architettura di MT2F2G08ABAGAWP-ITE:G

MT29F2G08ABAGAWP-ITE asincrono: FLASH parallelo NAND Memory IC 48-TFSOP di G 2Gbit 0

 

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Domande frequenti

D: I vostri prodotti sono originali?
A: Sì, tutti i prodotti sono originali, nuova importazione originale è il nostro scopo.
D: Quali certificati ha?
R: Siamo una società certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.
D: Puoi supportare ordini o campioni in piccole quantità?Il campione è gratuito?
R: Sì, sosteniamo l'ordine di campione e il piccolo ordine. Il costo del campione è diverso a seconda del tuo ordine o progetto.
D: Come spedisco il mio ordine?
R: Usiamo l'espresso per spedire, come DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS. Possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito.I prodotti saranno in buona confezione e garantire la sicurezza e siamo responsabili per i danni prodotti al vostro ordine.
D: Che mi dici del tempo di consegna?
R: Possiamo spedire le parti in magazzino entro 5 giorni lavorativi. Se senza magazzino, confermeremo il tempo di consegna in base alla quantità dell'ordine.
   

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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