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Chip MT29F2G08ABAGAH4-ITE del circuito integrato: FLASH NAND Memory IC 63-VFBGA di G

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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Chip MT29F2G08ABAGAH4-ITE del circuito integrato: FLASH NAND Memory IC 63-VFBGA di G

Chip MT29F2G08ABAGAH4-ITE del circuito integrato: FLASH NAND Memory IC 63-VFBGA di G
Chip MT29F2G08ABAGAH4-ITE del circuito integrato: FLASH NAND Memory IC 63-VFBGA di G

Grande immagine :  Chip MT29F2G08ABAGAH4-ITE del circuito integrato: FLASH NAND Memory IC 63-VFBGA di G

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: MT29F2G08ABAGAH4-ITE: G
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: 63-VFBGA
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union

Chip MT29F2G08ABAGAH4-ITE del circuito integrato: FLASH NAND Memory IC 63-VFBGA di G

Descrizione
Numero della parte: MT29F2G08ABAGAH4-ITE: G Confezione / Cassa: VFBGA-63
Dimensione della memoria: 2 Gbit Organizzazione: 256 m. x 8
Larghezza del canale omnibus di dati: bit 8 Tensione di rifornimento - massima: 3.6 V

Chip MT29F2G08ABAGAH4-ITE del circuito integrato: FLASH NAND Memory IC 63-VFBGA di G

 

Descrizione di prodotto di MT29F2G08ABAGAH4-ITE: G

MT29F2G08ABAGAH4-ITE: Il G questo permette alla protezione della corruzione delle caratteristiche e di dati di protezione avanzata. SLC NAND è ideale per le piccole progettazioni e le applicazioni di fattore forma che richiedono la velocità, la resistenza e la sicurezza.

 

Specificazione di MT29F2G08ABAGAH4-ITE: G

Numero del pezzo: MT29F2G08ABAGAH4-ITE: G
SMD/SMT
MT29F
Parallelo
Asincrono
2,7 V
35 mA

 

Caratteristiche di MT29F2G08ABAGAH4-ITE: G

  • Ideale per ad alto rendimento, alto-resistenza ed i piccoli applicationseets a bassa potenza IoT di fattore forma
  • Immagazzini 1 bit dei dati per cellula di memoria con colta veloce e scriva le capacità.
  • Offre i tempi veloci dello stivale, la resistenza eccellente, l'affidabilità e con l'ultima generazione di 25nm NAND, algoritmi di CEE del su dado.
  • Permette alla protezione della corruzione delle caratteristiche e di dati di protezione avanzata.

 

Altri componenti elettronici in azione

Numero del pezzo Pacchetto
BCM56720B0KFSBG BGA
CTC8096 FCPBGA1825
BCM59111KMLG QFN48
CN6120-800BG868-SCP-G BGA
TPD4132K DIP26
TPD4134AK DIP26

 

FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

   

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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