Casa Prodotti Moduli automobilistici di IGBT

Transistor automobilistici del Mosfet dei moduli 79A 310W degli innesti a vite IGBT

Name: Transistor automobilistici del Mosfet dei moduli 79A 310W degli innesti a vite IGBT
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: MSCSM120DUM31CTBL1NG
Availability: InStock

Tutti i prodotti

Chip del circuito integrato
(19330)

BT IC
(544)

Moduli automobilistici di IGBT
(1994)

Microcontroller MCU
(13653)

GaN IC
(75)

Chip di elaborazione AI
(1179)

Gate array programmabile del campo
(6736)

CI ethernet
(1009)

Connettori
(2855)

Chip IC di memoria
(2450)

Sensore IC
(2236)

Chip IoT
(235)

Modulo 5G
(132)

Chip di WiFi 6
(142)

Chip di Iphone IC
(55)

Modulo di comunicazione senza fili
(3349)

Regolatore di temperatura Thermostat
(8)

Migliori prodotti

Moduli trifasi doppi di Econo FF900R12ME7WB11BPSA1 PIM IGBT di media potenza

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 energia fotovoltaica del modulo 950V 70A di fase IGBT

Modulo doppio automobilistico dei moduli FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A IGBT di IGBT

Certificazione

La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni

Rassegne del cliente

È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

—— Luis dagli Stati Uniti

Alta qualità e prestazioni affidabili: "I componenti elettronici che abbiamo ricevuto da [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] sono di alta qualità e hanno dimostrato prestazioni affidabili nei nostri dispositivi".

—— Richardg Dalla Germania

Prezzi competitivi: i prezzi offerti da è molto competitivo, rendendolo una scelta eccellente per le nostre esigenze di approvvigionamento.

—— Tim dalla Malesia

Il servizio clienti è eccellente, sempre disponibile e disponibile, garantendo che le nostre esigenze siano soddisfatte prontamente.

—— Vincent dalla Russia

Grandi prezzi, consegna veloce e servizio clienti di prim'ordine.

—— Nishikawa dal Giappone

Componenti affidabili, spedizione veloce e supporto eccellente.

—— Sam dagli Stati Uniti

Ricomando vivamente ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd per qualsiasi progetto di elettronica!

—— Lina dalla Germania

Sono ora online in chat

Transistor automobilistici del Mosfet dei moduli 79A 310W degli innesti a vite IGBT

Grande immagine : Transistor automobilistici del Mosfet dei moduli 79A 310W degli innesti a vite IGBT

Dettagli:

Luogo di origine:	CN
Marca:	Original Factory
Certificazione:	Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello:	MSCSM120DUM31CTBL1NG

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	10
Prezzo:	Contact for Sample
Imballaggi particolari:	modulo
Tempi di consegna:	5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento:	T/T, L/C, Western Union

Contatto

Transistor automobilistici del Mosfet dei moduli 79A 310W degli innesti a vite IGBT

Descrizione

Numero del pezzo:	MSCSM120DUM31CTBL1NG	Vf - tensione di andata:	1,5 V a 30 A
Vr - Tensione inversa:	1,2 chilovolt	Vgs - tensione di Portone-fonte:	- 10 V, 25 V
Montaggio dello stile:	Innesti a vite	Tempo di caduta:	25 NS
Evidenziare:	Moduli automobilistici degli innesti a vite IGBT , moduli automobilistici di 79A 310W IGBT , Transistor del Mosfet di IGBT

Transistor automobilistici del Mosfet dei moduli 79A 310W degli innesti a vite IGBT

Transistor automobilistici del Mosfet 79A 310W dei moduli MSCSM120DUM31CTBL1NG di IGBT

Descrizione di prodotto di MSCSM120DUM31CTBL1NG

Offerta di MSCSM120DUM31CTBL1NG un basso profilo, un montaggio diretto al dissipatore di calore (pacchetto isolato), un termistore interno per il monitoraggio di temperatura e una gamma di temperature estesa.

Specificazione di MSCSM120DUM31CTBL1NG

Numero del pezzo	MSCSM120DUM31CTBL1NG
Configurazione:	Fonte comune doppia
Tempo di caduta:	25 NS
Identificazione - corrente continua dello scolo:	79 A
Palladio - dissipazione di potere:	310 W

Caratteristiche di MSCSM120DUM31CTBL1NG

Peso ultrabasso e profilo
Fonte di Kelvin per azionamento facile
Substrato Si3N4 con rame spesso per la prestazione termica migliore

Altri tipi di prodotto del rifornimento

Numero del pezzo	Pacchetto
NCP6924GFCCHT1G	WLCSP-30
ANX7737FH	QFN-64
ADS826E	SSOP28
MT41K256M16TW-107	BGA96
S9S12G64F0VLFR	QFP48
IRMCK343TR	QFP64

FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

Prodotto Tag:

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Altri prodotti

modulo automobilistico FS03MR12A6MA1LBBPSA1 del Mosfet dei moduli 1200V di 400A IGBT sic

Vuoti a tensione di fonte (Vdss): 1200V (1.2kV)

Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C: 400A

RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @: 5.55V @ 240mA

modulo livellato F3L400R10W3S7B11BPSA1 dei moduli 3 automobilistici IGBT di 950V 400A IGBT

Numero della parte: F3L400R10W3S7B11BPSA1

Tipo IGBT: Fossa

Status del prodotto: Attivo

Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max): 950 V

Fermata di campo della fossa del modulo 950V 310A di F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima): 950 V

Corrente - collettore (CI) (massimo): 310 A

Massimo elettrico: 20 Mw

Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI: 2.25V @ 15V, 400A

Moduli automobilistici FS05MR12A6MA1BBPSA1 dei moduli di potere del carburo di silicio di HEV 1200V 200A

Caratteristica del FET: Carburo di silicio (SiC)

Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss): 1200 V (1,2 kV)

Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C: 200A

Tipo di montaggio: Montaggio del telaio

Moduli IGBT automobilistici FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Modulo IGBT a mezzo ponte

Numero della parte: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max): 750 V

Corrente - Collettore (Ic) (Max): 200 A

Potenza - Max: 20 mW

Transistor automobilistici del Mosfet dei moduli 79A 310W degli innesti a vite IGBT

Transistor automobilistici del Mosfet dei moduli 79A 310W degli innesti a vite IGBT

Transistor automobilistici del Mosfet dei moduli 79A 310W degli innesti a vite IGBT

Moduli automobilistici degli innesti a vite IGBT

moduli automobilistici di 79A 310W IGBT

Transistor del Mosfet di IGBT

Moduli automobilistici 400A di IGBT,

Modulo di potere di FS380R12A6T4BBPSA1 Igbt,