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Casa ProdottiChip del circuito integrato

Chip del circuito integrato di arresto di campo della fossa dei transistor RGT40TS65DGC13 IGBT TO-247-3

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

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Chip del circuito integrato di arresto di campo della fossa dei transistor RGT40TS65DGC13 IGBT TO-247-3

Chip del circuito integrato di arresto di campo della fossa dei transistor RGT40TS65DGC13 IGBT TO-247-3
Transistors RGT40TS65DGC13 IGBT Trench Field Stop TO-247-3 Integrated Circuit Chip
Chip del circuito integrato di arresto di campo della fossa dei transistor RGT40TS65DGC13 IGBT TO-247-3 Chip del circuito integrato di arresto di campo della fossa dei transistor RGT40TS65DGC13 IGBT TO-247-3

Grande immagine :  Chip del circuito integrato di arresto di campo della fossa dei transistor RGT40TS65DGC13 IGBT TO-247-3

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: RGT40TS65DGC13
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-247-3
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union
Contatto

Chip del circuito integrato di arresto di campo della fossa dei transistor RGT40TS65DGC13 IGBT TO-247-3

Descrizione
Numero del pezzo: RGT40TS65DGC13 Palladio - dissipazione di potere: 144 w
Corrente di andata del diodo (TC = 25°C): 35A Corrente di perdita dell'Portone-emettitore: Na 200
Corrente di andata pulsata diodo: 60A Collettore - tensione dell'emettitore: 650V

Chip del circuito integrato di arresto di campo della fossa dei transistor RGT40TS65DGC13 IGBT TO-247-3

 

Descrizione di prodotto di RGT40TS65DGC13

RGT40TS65DGC13 è transistor della fossa IGBT di arresto di campo di 650V 20A, pacchetto è TO-247-3, attraverso il foro.

 

Specificazione di RGT40TS65DGC13

Numero del pezzo RGT40TS65DGC13
Tipo di IGBT
Fermata di campo della fossa
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima)
650 V
Corrente - collettore (CI) (massimo)
40 A
Corrente - collettore pulsato (Icm)
60 A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI
2.1V @ 15V, 20A
Massimo elettrico
144 W
Tipo introdotto
Norma
Tassa del portone
40 nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C
22ns/75ns
Condizione di prova
400V, 20A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)
58 NS
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 175°C (TJ)


Caratteristiche di RGT40TS65DGC13

  • Collettore basso - tensione di saturazione dell'emettitore
  • Perdita di commutazione bassa
  • Il cortocircuito resiste al tempo 5μs
  • Costruito nel recupero veloce & morbido stesso FRD (RFN - serie)
  • Pb - placcatura libera del cavo; RoHS compiacente

 

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FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.
 

Prodotto Tag:

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Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

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