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Chip del circuito integrato di arresto di campo della fossa dei transistor STGWA20H65DFB2 di IGBT TO-247-3

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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Chip del circuito integrato di arresto di campo della fossa dei transistor STGWA20H65DFB2 di IGBT TO-247-3

Chip del circuito integrato di arresto di campo della fossa dei transistor STGWA20H65DFB2 di IGBT TO-247-3
IGBT Transistors STGWA20H65DFB2 Trench Field Stop TO-247-3 Integrated Circuit Chip
Chip del circuito integrato di arresto di campo della fossa dei transistor STGWA20H65DFB2 di IGBT TO-247-3 Chip del circuito integrato di arresto di campo della fossa dei transistor STGWA20H65DFB2 di IGBT TO-247-3

Grande immagine :  Chip del circuito integrato di arresto di campo della fossa dei transistor STGWA20H65DFB2 di IGBT TO-247-3

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: STGWA20H65DFB2
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-247-3
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union
Contatto

Chip del circuito integrato di arresto di campo della fossa dei transistor STGWA20H65DFB2 di IGBT TO-247-3

Descrizione
Numero del pezzo: STGWA20H65DFB2 Tensione VCEO dell'emettitore del collettore (massima): 650V
Tempo di recupero inverso (trr): 215 NS Tassa del portone: 56 nC
Energia di commutazione: 265µJ (sopra), 214µJ (fuori) Serie: HB2

Chip del circuito integrato di arresto di campo della fossa dei transistor STGWA20H65DFB2 di IGBT TO-247-3

 

Descrizione di prodotto di STGWA20H65DFB2

STGWA20H65DFB2 è campo-fermata del portone della fossa, 650 V, 20 A, HB2 serie ad alta velocità IGBT in a al pacchetto lungo dei cavi del ‑ 247.

 

Specificazione di STGWA20H65DFB2

Numero del pezzo: STGWA20H65DFB2
- 20 V, 20 V
40 A
147 W
- 55 C
+ 175 C
Metropolitana
Corrente di perdita dell'Portone-emettitore: Na 250


Caratteristiche di STGWA20H65DFB2

  • Temperatura di giunzione massima: TJ = °C 175
  • VCE basso (seduto) = 1,65 V (tipo.) @ IC = 20 A
  • E morbido diodo co-imballato recupero molto veloce
  • Corrente minimizzata della coda
  • Distribuzione stretta di parametro
  • Resistenza termica bassa
  • Coefficiente di temperatura positivo di VCE (si è seduto)

 

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EP8324 BGA
LTC6902CMS MSOP10
LTC4222CUH QFN-32
PCA9535HF QFN24

 

FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.
   

Prodotto Tag:

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Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

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