Transistor automobilistici 650V del grado IGBT del chip STG200M65F2D8AG del circuito integrato

Transistor automobilistici 650V del grado IGBT del chip STG200M65F2D8AG del circuito integrato

Descrizione di prodotto di STG200M65F2D8AG

STG200M65F2D8AG è Automobilistico-grado 650V, serie IGBT con poche perdite della campo-fermata m. del portone della fossa 200A muore in imballaggio D8.

Specificazione di STG200M65F2D8AG

Caratteristiche di STG200M65F2D8AG

• Serie con poche perdite IGBT
• VCE basso (seduto) = 1,55 V (tipo.) ad IC = 200 A
• Coefficiente di temperatura positivo di VCE (si è seduto)
• Distribuzione stretta di parametro
• Temperatura di giunzione massima: TJ = °C 175
• tempo di resistenza di cortocircuito minimo di 6 µs a TJ = 150°C

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FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.