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Dettagli:
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| Numero del pezzo: | NTH4L040N120SC1 | Dissipazione di potere (massima): | 319W (TC) |
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| Montaggio del tipo: | Attraverso il foro | Vuoti a tensione di fonte (Vdss): | 1200 V |
| Tecnologia: | SiCFET (carburo di silicio) | Modo di Manica: | Potenziamento |
Transistor TO-247-4L del MOSFET di potere del carburo di silicio di N-Manica NTH4L040N120SC1
Descrizione di prodotto di NTH4L040N120SC1
NTH4L040N120SC1 è transistor del MOSFET di potere del carburo di silicio di N-Manica 319W (TC) di 1200V 58A (TC), pacchetto è TO-247-4L.
Specificazione di NTH4L040N120SC1
| Numero del pezzo | NTH4L040N120SC1 |
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Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C
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58A (TC)
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Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On)
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20V
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RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs
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56mOhm @ 35A, 20V
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Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @
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4.3V @ 10mA
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Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs
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106 nC @ 20 V
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Vgs (massimo)
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+25V, -15V
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Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds
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1762 PF @ 800 V
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Caratteristiche di NTH4L040N120SC1
Altri componenti elettronici in azione
| Numero del pezzo | Pacchetto |
| BQ24192RGER | VQFN24 |
| LXT388LE | QFP100 |
| ADUM7440CRQZ | QSOP-16 |
| SMP8674A00 | BGA |
| SMP8675A00 | BGA |
| SMP8675B00 | BGA |
FAQ
Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
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Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
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