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Transistor TO-247-4L del MOSFET di potere del carburo di silicio di N-Manica NTH4L040N120SC1

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Transistor TO-247-4L del MOSFET di potere del carburo di silicio di N-Manica NTH4L040N120SC1

Transistor TO-247-4L del MOSFET di potere del carburo di silicio di N-Manica NTH4L040N120SC1
Transistor TO-247-4L del MOSFET di potere del carburo di silicio di N-Manica NTH4L040N120SC1 Transistor TO-247-4L del MOSFET di potere del carburo di silicio di N-Manica NTH4L040N120SC1

Grande immagine :  Transistor TO-247-4L del MOSFET di potere del carburo di silicio di N-Manica NTH4L040N120SC1

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: NTH4L040N120SC1
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-247-4L
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union

Transistor TO-247-4L del MOSFET di potere del carburo di silicio di N-Manica NTH4L040N120SC1

Descrizione
Numero del pezzo: NTH4L040N120SC1 Dissipazione di potere (massima): 319W (TC)
Montaggio del tipo: Attraverso il foro Vuoti a tensione di fonte (Vdss): 1200 V
Tecnologia: SiCFET (carburo di silicio) Modo di Manica: Potenziamento

Transistor TO-247-4L del MOSFET di potere del carburo di silicio di N-Manica NTH4L040N120SC1

 

Descrizione di prodotto di NTH4L040N120SC1

NTH4L040N120SC1 è transistor del MOSFET di potere del carburo di silicio di N-Manica 319W (TC) di 1200V 58A (TC), pacchetto è TO-247-4L.

 

Specificazione di NTH4L040N120SC1

Numero del pezzo NTH4L040N120SC1
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C
58A (TC)
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On)
20V
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs
56mOhm @ 35A, 20V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @
4.3V @ 10mA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs
106 nC @ 20 V
Vgs (massimo)
+25V, -15V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds
1762 PF @ 800 V

 

Caratteristiche di NTH4L040N120SC1

  • TJ = 175°C
  • Tipo. RDS (sopra) = 40 m.
  • La valanga 100% ha provato
  • Tassa ultrabassa del portone (QG (bimbetto) = 106 nC)
  • Commutazione ad alta velocità con la capacità bassa (Coss = 137 PF)
  • Questo dispositivo è Pb−Free ed è RoHS compiacente

 

Altri componenti elettronici in azione

Numero del pezzo Pacchetto
BQ24192RGER VQFN24
LXT388LE QFP100
ADUM7440CRQZ QSOP-16
SMP8674A00 BGA
SMP8675A00 BGA
SMP8675B00 BGA

 

FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.
   

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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