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Chip TW070J120B, transistor TO-3P-3 del circuito integrato dei MOSFETs di N-Manica di S1Q

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
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Chip TW070J120B, transistor TO-3P-3 del circuito integrato dei MOSFETs di N-Manica di S1Q

Chip TW070J120B, transistor TO-3P-3 del circuito integrato dei MOSFETs di N-Manica di S1Q
Chip TW070J120B, transistor TO-3P-3 del circuito integrato dei MOSFETs di N-Manica di S1Q Chip TW070J120B, transistor TO-3P-3 del circuito integrato dei MOSFETs di N-Manica di S1Q

Grande immagine :  Chip TW070J120B, transistor TO-3P-3 del circuito integrato dei MOSFETs di N-Manica di S1Q

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: TW070J120B, S1Q
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-3P (N)
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union

Chip TW070J120B, transistor TO-3P-3 del circuito integrato dei MOSFETs di N-Manica di S1Q

Descrizione
Numero del pezzo: TW070J120B, S1Q Alta tensione: VDSS = 1200 V
Tensione di Portone-fonte: +25V/-10V Temperatura di Manica: 175°C
Dissipazione di potere (T c = 25°C): 272W RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs: 90mOhm @ 18A, 20V

Chip TW070J120B, transistor TO-3P-3 del circuito integrato dei MOSFETs di N-Manica di S1Q

 

Descrizione di prodotto di TW070J120B, S1Q

TW070J120B, S1Q è N-Manica MOS Transistors del carburo di silicio, attraverso il foro TO-3P (N).

 

Specificazione di TW070J120B, S1Q

Numero del pezzo TW070J120B, S1Q
Vgs (massimo)
±25V, -10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds
1680 PF @ 800 V
Caratteristica del FET
Norma
Dissipazione di potere (massima)
272W (TC)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C
Montaggio del tipo
Attraverso il foro
Pacchetto del dispositivo del fornitore
TO-3P (N)
Pacchetto/caso
TO-3P-3, SC-65-3

 

Caratteristiche di TW070J120B, S1Q

  • Modo di potenziamento
  • Progettazione di chip della seconda generazione (di accessorio diodo di barriera di schottky sic)
  • Tensione di andata del diodo basso: VDSF = -1,35 V (tipo.)
  • Alta tensione: VDSS = 1200 V
  • Su resistenza bassa di scolo-fonte: MΩ 70 (tipo di RDS (SOPRA) =.)
  • Meno suscettibile funzionare male dovuto alta tensione della soglia: Vth = 4,2 - 5,8 V (VDS = 10 V, I D = 20 mA)

 

Altri componenti elettronici in azione

Numero del pezzo Pacchetto
SMP8675B80 BGA
LP55231SQX WQFN24
TLV320AIC3206IRSBR WQFN40
SSM2602CPZ QFN28
ST72F325J7T6 LQFP44
EP4SGX180FF35C2XN BGA

 

FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.
   

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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