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Carburo di silicio MOS Transistors TW107N65C, chip di N-Manica TO-247-3 650V IC di S1F

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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Carburo di silicio MOS Transistors TW107N65C, chip di N-Manica TO-247-3 650V IC di S1F

Carburo di silicio MOS Transistors TW107N65C, chip di N-Manica TO-247-3 650V IC di S1F
Silicon Carbide MOS Transistors TW107N65C,S1F N-Channel TO-247-3 650V IC Chips
Carburo di silicio MOS Transistors TW107N65C, chip di N-Manica TO-247-3 650V IC di S1F Carburo di silicio MOS Transistors TW107N65C, chip di N-Manica TO-247-3 650V IC di S1F

Grande immagine :  Carburo di silicio MOS Transistors TW107N65C, chip di N-Manica TO-247-3 650V IC di S1F

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: TW107N65C, S1F
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-247-3
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union
Contatto

Carburo di silicio MOS Transistors TW107N65C, chip di N-Manica TO-247-3 650V IC di S1F

Descrizione
Numero del pezzo: TW107N65C, S1F Qg - tassa del portone: 28 nC
Vgs - tensione di Portone-fonte: -10V, +25V Identificazione - corrente continua dello scolo: 20 A
Resistenza su di Scolo-fonte di RDS: 113 mOhms Th di Vgs - tensione della soglia di Portone-fonte: 5 V

Carburo di silicio MOS Transistors TW107N65C, chip di N-Manica TO-247-3 650V IC di S1F

 

Descrizione di prodotto di TW107N65C, S1F

TW107N65C, S1F è N-Manica 650V 20A (TC) 76W (TC), carburo di silicio MOS Transistors, pacchetto è TO-247-3, attraverso il foro.

 

Specificazione di TW107N65C, S1F

Numero del pezzo: TW107N65C, S1F
- 55 C
+ 175 C
111 W
Potenziamento
Tempo di caduta: 25 NS
Tipo di prodotto: MOSFET
Tempo di aumento: 32 NS
Tempo di ritardo tipico di giro-Fuori: 56 NS
Tempo di ritardo d'apertura tipico: 56 NS

 

Imballaggio e circuito interno di TW107N65C, S1F

Carburo di silicio MOS Transistors TW107N65C, chip di N-Manica TO-247-3 650V IC di S1F 0

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ISL29034IROZ QFN4
MCIMX507CVM8B BGA

 

FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.
   

Prodotto Tag:

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Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

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