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MOSFET 650V 100A 20mOhm del carburo di silicio del Automobilistico-grado dei transistor SCTW100N65G2AG

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
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MOSFET 650V 100A 20mOhm del carburo di silicio del Automobilistico-grado dei transistor SCTW100N65G2AG

MOSFET 650V 100A 20mOhm del carburo di silicio del Automobilistico-grado dei transistor SCTW100N65G2AG
MOSFET 650V 100A 20mOhm del carburo di silicio del Automobilistico-grado dei transistor SCTW100N65G2AG

Grande immagine :  MOSFET 650V 100A 20mOhm del carburo di silicio del Automobilistico-grado dei transistor SCTW100N65G2AG

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: SCTW100N65G2AG
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: HiP247
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union

MOSFET 650V 100A 20mOhm del carburo di silicio del Automobilistico-grado dei transistor SCTW100N65G2AG

Descrizione
Numero del pezzo: SCTW100N65G2AG Tipo del FET: N-Manica
Tecnologia: SiCFET (carburo di silicio) Dissipazione di potere (massima): 420W (TC)
Temperatura di funzionamento: -55°C ~ 200°C (TJ) Montaggio del tipo: Attraverso il foro

MOSFET 650V 100A 20mOhm del carburo di silicio del Automobilistico-grado dei transistor SCTW100N65G2AG

 

Descrizione di prodotto di SCTW100N65G2AG

MOSFET 650 V, 100 A, 20 mΩ (tipo di potere del carburo di silicio del Automobilistico-grado di SCTW100N65G2AG., TJ = °C) 25, in un pacchetto HiP247.

 

Specificazione di SCTW100N65G2AG

Numero del pezzo
SCTW100N65G2AG
Vuoti a tensione di fonte (Vdss)
650 V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C
100A (TC)
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On)
18V
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs
26mOhm @ 50A, 18V
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @
5V @ 5mA
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs
162 nC @ 18 V
Vgs (massimo)
+22V, -10V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds
3315 PF @ 520 V

 

Caratteristiche di SCTW100N65G2AG

  • AEC-Q101 compiacente
  • Temperatura di funzionamento molto alta (TJ = +200°C)
  • Diodo incorporato molto veloce e robusto del corpo
  • Capacità bassa

 

Applicazioni di SCTW100N65G2AG

  • Trazione per gli invertitori
  • Convertitori cc-cc

 

Schema a blocchi funzionale di SCTW100N65G2AG

MOSFET 650V 100A 20mOhm del carburo di silicio del Automobilistico-grado dei transistor SCTW100N65G2AG 0

 

Altri tipi di prodotto del rifornimento

Numero del pezzo Pacchetto
DS33Z44 BGA256
OPA209AIDBVR SOT23-5
TPS65235RUKR WQFN-20
FOD8314R2 SOIC-6
ADG619BRTZ SOT23-8
IDW30E65D1 TO-247

 

FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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