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1200V MOSFET di potere del carburo di silicio di N-Manica del MOSFET SCTWA50N120 attraverso il foro HiP247

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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Alta qualità e prestazioni affidabili: "I componenti elettronici che abbiamo ricevuto da [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] sono di alta qualità e hanno dimostrato prestazioni affidabili nei nostri dispositivi".

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1200V MOSFET di potere del carburo di silicio di N-Manica del MOSFET SCTWA50N120 attraverso il foro HiP247

1200V MOSFET di potere del carburo di silicio di N-Manica del MOSFET SCTWA50N120 attraverso il foro HiP247
1200V MOSFET SCTWA50N120 N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET Through Hole HiP247
1200V MOSFET di potere del carburo di silicio di N-Manica del MOSFET SCTWA50N120 attraverso il foro HiP247 1200V MOSFET di potere del carburo di silicio di N-Manica del MOSFET SCTWA50N120 attraverso il foro HiP247

Grande immagine :  1200V MOSFET di potere del carburo di silicio di N-Manica del MOSFET SCTWA50N120 attraverso il foro HiP247

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: SCTWA50N120
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-247-3
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union
Contatto

1200V MOSFET di potere del carburo di silicio di N-Manica del MOSFET SCTWA50N120 attraverso il foro HiP247

Descrizione
Numero del pezzo: SCTWA50N120 Resistenza su di Scolo-fonte di RDS: 52 mOhms
Vgs - tensione di Portone-fonte: -10V, +25V Th di Vgs - tensione della soglia di Portone-fonte: 1,8 V
Qg - tassa del portone: 122 nC Palladio - dissipazione di potere: 318 W

1200V MOSFET di potere del carburo di silicio di N-Manica del MOSFET SCTWA50N120 attraverso il foro HiP247

 

Descrizione di prodotto di SCTWA50N120

MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mΩ (tipo di potere del carburo di silicio SCTWA50N120., °C) TJ=150 in un pacchetto lungo dei cavi di HiP247™.

 

Specificazione di SCTWA50N120

Numero del pezzo: SCTWA50N120 Tipo del FET: N-Manica
Tecnologia: SiCFET (carburo di silicio) Vuoti a tensione di fonte (Vdss): 1200 V
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C: 65A (TC) Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On): 20V


Caratteristiche di SCTWA50N120

  • Variazione molto stretta di su resistenza vs.temperature
  • Capacità di funzionamento molto alta di temperatura di giunzione (TJ = °C) 200
  • Diodo intrinseco molto veloce e robusto del corpo
  • Capacità bassa

 

Applicazioni di SCTWA50N120

  • Invertitori solari, UPS
  • Azionamenti del motore
  • Convertitori cc-cc ad alta tensione
  • Alimentazioni elettriche di modo del commutatore

 

Altri tipi di prodotto del rifornimento

Numero del pezzo Pacchetto
A4970GLBTR SOP24
88E1310 QFN48
A4980KLPTR HTSSOP-28
EFM32GG290F1024G 112-BGA
EN2340QI QFN68
EN5337QI QFN38

 

FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

Prodotto Tag:

Chip 24-PQFN del circuito integrato,

Lineare a doppio canale di TUSB1002ARGER,

Chip integrati QFN24

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

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