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Casa ProdottiChip del circuito integrato

Transistor elettronici di N-Manica dei circuiti integrati SCTW35N65G2VAG attraverso il foro

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

—— Luis dagli Stati Uniti

Alta qualità e prestazioni affidabili: "I componenti elettronici che abbiamo ricevuto da [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] sono di alta qualità e hanno dimostrato prestazioni affidabili nei nostri dispositivi".

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—— Nishikawa dal Giappone

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Ricomando vivamente ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd per qualsiasi progetto di elettronica!

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Transistor elettronici di N-Manica dei circuiti integrati SCTW35N65G2VAG attraverso il foro

Transistor elettronici di N-Manica dei circuiti integrati SCTW35N65G2VAG attraverso il foro
Transistor elettronici di N-Manica dei circuiti integrati SCTW35N65G2VAG attraverso il foro

Grande immagine :  Transistor elettronici di N-Manica dei circuiti integrati SCTW35N65G2VAG attraverso il foro

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: SCTW35N65G2VAG
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-247-3
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union
Contatto

Transistor elettronici di N-Manica dei circuiti integrati SCTW35N65G2VAG attraverso il foro

Descrizione
Numero del pezzo: SCTW35N65G2VAG Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds: 1370 PF @ 400 V
Temperatura di funzionamento: -55°C ~ 200°C (TJ) Sottocategoria: MOSFETs
Numero dei canali: 1 RDS sopra: 67 mOhms

Transistor elettronici di N-Manica dei circuiti integrati SCTW35N65G2VAG attraverso il foro

 

Descrizione di prodotto di SCTW35N65G2VAG

SCTW35N65G2VAG è MOSFET 650 V, 45 A, 55 transistor di potere del carburo di silicio del Automobilistico-grado del mΩ.

 

Specificazione di SCTW35N65G2VAG

Numero del pezzo

SCTW35N65G2VAG

1 Manica

650 V

45 A

67 mOhms

- 10 V, + 22 V


Caratteristiche di SCTW35N65G2VAG

  • AEC-Q101 si è qualificato

  • Diodo intrinseco molto veloce e robusto del corpo

  • Capacità bassa

 

Altri tipi di prodotto del rifornimento

Numero del pezzo

Pacchetto

PAS5204A

BGA

PPC405EX-NSD600T

BGA

PPC405EP-3LB133C

BGA

LFXP3C-3Q208C

QFP208

QT2032PRKCB

LBGA190

WGS21891

QFP

 

FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

Prodotto Tag:

Chip 24-PQFN del circuito integrato,

Lineare a doppio canale di TUSB1002ARGER,

Chip integrati QFN24

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

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