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Casa ProdottiChip del circuito integrato

Transistor TO-247-3 di N-Manica del carburo di silicio SCTWA30N120 attraverso il foro

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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Transistor TO-247-3 di N-Manica del carburo di silicio SCTWA30N120 attraverso il foro

Transistor TO-247-3 di N-Manica del carburo di silicio SCTWA30N120 attraverso il foro
SCTWA30N120 Silicon Carbide N-Channel Transistors TO-247-3 Through Hole
Transistor TO-247-3 di N-Manica del carburo di silicio SCTWA30N120 attraverso il foro Transistor TO-247-3 di N-Manica del carburo di silicio SCTWA30N120 attraverso il foro

Grande immagine :  Transistor TO-247-3 di N-Manica del carburo di silicio SCTWA30N120 attraverso il foro

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: SCTWA30N120
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-247-3
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union
Contatto

Transistor TO-247-3 di N-Manica del carburo di silicio SCTWA30N120 attraverso il foro

Descrizione
Numero del pezzo: SCTWA30N120 Vds - tensione di ripartizione di Scolo-fonte: 1,2 chilovolt
Resistenza su di Scolo-fonte di RDS: 100 mOhms Palladio - dissipazione di potere: 270 W
Peso specifico: 6,100 g Sottocategoria: MOSFETs

Transistor TO-247-3 di N-Manica del carburo di silicio SCTWA30N120 attraverso il foro

 

Descrizione di prodotto di SCTWA30N120

Il MOSFET di potere del carburo di silicio SCTWA30N120 è prodotto che sfrutta le proprietà avanzate e innovarici di ampi materiali del bandgap.

 

Specificazione di SCTWA30N120

Numero del pezzo

SCTWA30N120

Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs

105 nC @ 20 V

Vgs (massimo)

+25V, -10V

Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds

1700 PF @ 400 V

Dissipazione di potere (massima)

270W (TC)

Temperatura di funzionamento

-55°C ~ 200°C (TJ)


Applicazioni di SCTWA30N120

  • Azionamenti del motore

  • Caricatori di EV

  • Convertitori cc-cc ad alta tensione

  • Alimentazioni elettriche di modo del commutatore

 

Altri tipi di prodotto del rifornimento

Numero del pezzo

Pacchetto

BLF6G38LS-100

TO-59

PM7366

BGA

SC2200A-00A00E

QFN80

BLF6G38-10G

SMD

SX1301IMLTRC

QFN64

AD8450ASTZ

QFP80

 

FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

Prodotto Tag:

Chip 24-PQFN del circuito integrato,

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Chip integrati QFN24

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

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