Transistor TO-247-3 di N-Manica del MOSFET di potere del chip SCTW40N120G2VAG del circuito integrato

Transistor TO-247-3 di N-Manica del MOSFET di potere del chip SCTW40N120G2VAG del circuito integrato

Descrizione di prodotto di SCTW40N120G2VAG

SCTW40N120G2VAG è transistor di N-Manica del MOSFET di potere del carburo di silicio del Automobilistico-grado, 1200 V, 33 A, 75 mΩ (tipo., TJ = °C) 25 in un pacchetto HiP247.

Specificazione di SCTW40N120G2VAG

Caratteristiche di SCTW40N120G2VAG

• Diodo intrinseco molto veloce e robusto del corpo
• Estremamente - tassa del portone e capacità basse dell'input
• Capacità di funzionamento molto alta di temperatura di giunzione (TJ = °C) 200

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FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.