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Transistor 262W del MOSFET di potere del carburo di silicio di N-Manica SCT2080KEGC11 TO-247-3

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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Transistor 262W del MOSFET di potere del carburo di silicio di N-Manica SCT2080KEGC11 TO-247-3

Transistor 262W del MOSFET di potere del carburo di silicio di N-Manica SCT2080KEGC11 TO-247-3
SCT2080KEGC11 N-channel Silicon Carbide TO-247-3 Power MOSFET Transistors 262W
Transistor 262W del MOSFET di potere del carburo di silicio di N-Manica SCT2080KEGC11 TO-247-3 Transistor 262W del MOSFET di potere del carburo di silicio di N-Manica SCT2080KEGC11 TO-247-3

Grande immagine :  Transistor 262W del MOSFET di potere del carburo di silicio di N-Manica SCT2080KEGC11 TO-247-3

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: SCT2080KEGC11
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-247-3
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union
Contatto

Transistor 262W del MOSFET di potere del carburo di silicio di N-Manica SCT2080KEGC11 TO-247-3

Descrizione
Numero del pezzo: SCT2080KEGC11 Resistenza su di Scolo-fonte di RDS: 80 mOhms
Vgs - tensione di Portone-fonte: - 6 V, + 22 V Th di Vgs - tensione della soglia di Portone-fonte: 4 V
Qg - tassa del portone: 106 nC Temperatura di funzionamento massima: + 175°C

Transistor 262W del MOSFET di potere del carburo di silicio di N-Manica SCT2080KEGC11 TO-247-3

 

Descrizione di prodotto di SCT2080KEGC11

SCT2080KEGC11 è 1200V, transistor del MOSFET di potere del carburo di silicio di N-Manica 80mΩ.

 

Specificazione di SCT2080KEGC11

Numero del pezzo: SCT2080KEGC11 Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs: 106 NC @ 18 V
Vgs (massimo): +22V, -6V Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds: 2080 PF @ 800 V
Dissipazione di potere (massima): 262W (TC) Temperatura di funzionamento: 175°C (TJ)

 

Caratteristiche di trasferimento tipiche di SCT2080KEGC11

Transistor 262W del MOSFET di potere del carburo di silicio di N-Manica SCT2080KEGC11 TO-247-3 0

 

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FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.
   

Prodotto Tag:

Chip 24-PQFN del circuito integrato,

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Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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