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Transistor del MOSFET di N-Manica del chip SCT2280KEHRC11 TO-247-3 del circuito integrato

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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Transistor del MOSFET di N-Manica del chip SCT2280KEHRC11 TO-247-3 del circuito integrato

Transistor del MOSFET di N-Manica del chip SCT2280KEHRC11 TO-247-3 del circuito integrato
Integrated Circuit Chip SCT2280KEHRC11 TO-247-3 N-Channel MOSFET Transistors
Transistor del MOSFET di N-Manica del chip SCT2280KEHRC11 TO-247-3 del circuito integrato Transistor del MOSFET di N-Manica del chip SCT2280KEHRC11 TO-247-3 del circuito integrato

Grande immagine :  Transistor del MOSFET di N-Manica del chip SCT2280KEHRC11 TO-247-3 del circuito integrato

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: SCT2280KEHRC11
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-247-3
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union
Contatto

Transistor del MOSFET di N-Manica del chip SCT2280KEHRC11 TO-247-3 del circuito integrato

Descrizione
Numero del pezzo: SCT2280KEHRC11 Vuoti a tensione di fonte (Vdss): 1200 V
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On): 18V Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @: 4V @ 1.4mA
Vgs (massimo): +22V, -6V Dissipazione di potere (massima): 108W (TC)

Transistor MOSFET a canale N con chip a circuito integrato SCT2280KEHRC11 TO-247-3

 

Descrizione del prodotto diSCT2280KEHRC11

SCT2280KEHRC11 è un transistor MOSFET di potenza SiC a canale N di livello automobilistico a bassa resistenza, 1200 V, 280 mΩ, il pacchetto è TO-247-3.

 

Specifica diSCT2280KEHRC11

Numero parte SCT2280KEHRC11
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
SiCFET (carburo di silicio)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
14A (TC)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
364mOhm @ 4A, 18V
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 400 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
667 pF a 800 V
temperatura di esercizio
175°C (TJ)
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247N

 

Tensione di soglia del gate VS.Temperatura di giunzione diSCT2280KEHRC11

Transistor del MOSFET di N-Manica del chip SCT2280KEHRC11 TO-247-3 del circuito integrato 0

 

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NB100LVEP222FARG HTQFP52
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FAQ

D: I tuoi prodotti sono originali?
A: Sì, tutti i prodotti sono originali, la nuova importazione originale è il nostro scopo.
D: Quali certificati hai?
R: Siamo un'azienda certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione di piccola quantità? Il campione è gratuito?
A: Sì, sosteniamo l'ordine del campione e il piccolo ordine. Il costo del campione è diverso in base al tuo ordine o progetto.
D: Come spedire il mio ordine?È sicuro?
A: Usiamo espresso per spedire, come DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Possiamo anche usare il tuo spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in un buon imballaggio e garantiranno la sicurezza e siamo responsabili per danni al prodotto al tuo ordine.
D: E il tempo di consegna?
A: Possiamo spedire parti in stock entro 5 giorni lavorativi. Se senza stock, confermeremo i tempi di consegna per te in base alla quantità dell'ordine. 
 

Prodotto Tag:

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Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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