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1200V transistor TO-247-3 del MOSFET di potere del carburo di silicio di N-Manica SCT3080KLGC11

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

—— Luis dagli Stati Uniti

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1200V transistor TO-247-3 del MOSFET di potere del carburo di silicio di N-Manica SCT3080KLGC11

1200V transistor TO-247-3 del MOSFET di potere del carburo di silicio di N-Manica SCT3080KLGC11
1200V N-channel SCT3080KLGC11 Silicon Carbide Power MOSFET Transistors TO-247-3
1200V transistor TO-247-3 del MOSFET di potere del carburo di silicio di N-Manica SCT3080KLGC11 1200V transistor TO-247-3 del MOSFET di potere del carburo di silicio di N-Manica SCT3080KLGC11

Grande immagine :  1200V transistor TO-247-3 del MOSFET di potere del carburo di silicio di N-Manica SCT3080KLGC11

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: SCT3080KLGC11
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: TO-247-3
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union
Contatto

1200V transistor TO-247-3 del MOSFET di potere del carburo di silicio di N-Manica SCT3080KLGC11

Descrizione
Numero del pezzo: SCT3080KLGC11 Identificazione - corrente continua dello scolo: 31 A
Resistenza su di Scolo-fonte di RDS: 80 mOhms Vgs - tensione di Portone-fonte: - 4 V, + 22 V
Th di Vgs - tensione della soglia di Portone-fonte: 2,7 V Qg - tassa del portone: 60 nC

1200V transistor TO-247-3 del MOSFET di potere del carburo di silicio di N-Manica SCT3080KLGC11

 

Descrizione di prodotto di SCT3080KLGC11

SCT3080KLGC11 è la su resistenza bassa, N-Manica 165W (TC) di 1200V 31A (TC) sic alimenta i transistor del MOSFET.

 

Specificazione di SCT3080KLGC11

Numero del pezzo: SCT3080KLGC11 Montaggio dello stile: Attraverso il foro
Pacchetto/caso: TO-247-3 Vds - tensione di ripartizione di Scolo-fonte: 1,2 chilovolt
Numero dei canali: 1 Manica Polarità del transistor: N-Manica


Dimensioni del pacchetto di SCT3080KLGC11
1200V transistor TO-247-3 del MOSFET di potere del carburo di silicio di N-Manica SCT3080KLGC11 0

 

Altri componenti elettronici in azione

Numero del pezzo Pacchetto
MT29F2G08ABAGAWP-ITE: G TSOP48
MT29F8G08ADAFAWP-AIT: F TSOP-48
MT29F4G01ABAFD12-AAT: F TBGA-24
MT29F1G08ABBFAH4-ITE: F VFBGA63
MT29F4G08ABADAWP-AATX: D TSOP48
MT29F2G08ABBEAH4-AITX: E 63-VFBGA

 

FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

 

Prodotto Tag:

Chip 24-PQFN del circuito integrato,

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Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

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