Transistor 6-UDFN del MOSFET della fossa di N-Manica del chip BUK6D30-40EX 40V del circuito integrato

 Chip di circuito integrato BUK6D30-40EX 40V N-canal Trench MOSFET Transistor 6-UDFN

Descrizione del prodottoBUK6D30-40EX

BUK6D30-40EX è 40V, N-canale Trench MOSFET transistor,Modalità di potenziamento N-canale Transistor a effetto di campo (FET) in un pacchetto di plastica DFN2020MD-6 (SOT1220) a potenza media con dispositivo montato in superficie (SMD) utilizzando la tecnologia Trench MOSFET.

Specifica diBUK6D30-40EX

Caratteristiche diBUK6D30-40EX

• Tecnologia MOSFET a trincea
• Intervallo di temperatura esteso Tj = 175 °C
• Flanchi bagnabili laterali per l'ispezione ottica della saldatura
• Protezione da scarica elettrostatica (ESD) > 2 kV HBM (classe H2)
• AEC-Q101 qualificato

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Domande frequenti

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