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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

—— Luis dagli Stati Uniti

Alta qualità e prestazioni affidabili: "I componenti elettronici che abbiamo ricevuto da [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] sono di alta qualità e hanno dimostrato prestazioni affidabili nei nostri dispositivi".

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Transistor LFPAK56 del MOSFET di modo di potenziamento di P-Manica dei transistor BUK6Y19-30PX

Transistor LFPAK56 del MOSFET di modo di potenziamento di P-Manica dei transistor BUK6Y19-30PX
Transistors BUK6Y19-30PX P-Channel Enhancement Mode MOSFET Transistors LFPAK56
Transistor LFPAK56 del MOSFET di modo di potenziamento di P-Manica dei transistor BUK6Y19-30PX Transistor LFPAK56 del MOSFET di modo di potenziamento di P-Manica dei transistor BUK6Y19-30PX

Grande immagine :  Transistor LFPAK56 del MOSFET di modo di potenziamento di P-Manica dei transistor BUK6Y19-30PX

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: BUK6Y19-30PX
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: LFPAK56
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union
Chiacchierata

Transistor LFPAK56 del MOSFET di modo di potenziamento di P-Manica dei transistor BUK6Y19-30PX

Descrizione
Numero del pezzo: BUK6Y19-30PX Pacchetto/caso: LFPAK56, Power-SO8
Serie: Automobilistico, AEC-Q101, TrenchMOS™ Dissipazione di potere totale (Tmb = °C) 25: 66W
Vgs (massimo): ±20V Tecnologia: MOSFET (ossido di metallo)

Transistor LFPAK56 del MOSFET di modo di potenziamento di P-Manica dei transistor BUK6Y19-30PX

 

Descrizione di prodotto di BUK6Y19-30PX

BUK6Y19-30PX è 30V, 45A (tum), 66W (tum), transistor del MOSFET del modo di potenziamento di P-Manica, l'alta capacità della dissipazione di potere termico.

 

Specificazione di BUK6Y19-30PX

Numero del pezzo
BUK6Y19-30PX
Vgs (massimo)
±20V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds
1260 PF @ 15 V
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Dissipazione di potere (massima)
66W (tum)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montaggio del tipo
Supporto di superficie
Pacchetto/caso
SC-100, SOT-669


Profilo del pacchetto di BUK6Y19-30PX

Transistor LFPAK56 del MOSFET di modo di potenziamento di P-Manica dei transistor BUK6Y19-30PX 0

 

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FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.

 

Prodotto Tag:

Chip 24-PQFN del circuito integrato,

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Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

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