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Transistor LFPAK56 del MOSFET della fossa di P-Manica del chip BUK6Y10-30PX 30V del circuito integrato

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Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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Transistor LFPAK56 del MOSFET della fossa di P-Manica del chip BUK6Y10-30PX 30V del circuito integrato

Transistor LFPAK56 del MOSFET della fossa di P-Manica del chip BUK6Y10-30PX 30V del circuito integrato
Integrated Circuit Chip BUK6Y10-30PX 30V P-Channel Trench MOSFET Transistors LFPAK56
Transistor LFPAK56 del MOSFET della fossa di P-Manica del chip BUK6Y10-30PX 30V del circuito integrato Transistor LFPAK56 del MOSFET della fossa di P-Manica del chip BUK6Y10-30PX 30V del circuito integrato

Grande immagine :  Transistor LFPAK56 del MOSFET della fossa di P-Manica del chip BUK6Y10-30PX 30V del circuito integrato

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: BUK6Y10-30PX
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: LFPAK56
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union
Contatto

Transistor LFPAK56 del MOSFET della fossa di P-Manica del chip BUK6Y10-30PX 30V del circuito integrato

Descrizione
Numero del pezzo: BUK6Y10-30PX Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @: 3V @ 250µA
Palladio - dissipazione di potere: 110 W Temperatura di funzionamento (massima): 175°C (TJ)
Tempo di aumento: 38 NS Modo di Manica: Potenziamento

Transistor LFPAK56 del MOSFET della fossa di P-Manica del chip BUK6Y10-30PX 30V del circuito integrato

 

Descrizione di prodotto di BUK6Y10-30PX

BUK6Y10-30PX è 30V, 80A (tum), transistor del MOSFET di P-Manica 110W (tum), supporto di superficie LFPAK56, Power-SO8. Adatto ad ambienti termicamente richiedenti dovuto una valutazione di 175 °C.

 

Specificazione di BUK6Y10-30PX

Numero del pezzo: BUK6Y10-30PX Pacchetto/caso: LFPAK56, Power-SO8
Serie: Automobilistico, AEC-Q101, TrenchMOS™ Dissipazione di potere totale (Tmb = °C) 25: 110W
Vgs (massimo): ±20V Tecnologia: MOSFET (ossido di metallo)


Profilo del pacchetto di BUK6Y10-30PX
Transistor LFPAK56 del MOSFET della fossa di P-Manica del chip BUK6Y10-30PX 30V del circuito integrato 0
 

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FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.
 

Prodotto Tag:

Chip 24-PQFN del circuito integrato,

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Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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