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Supporto della superficie dei transistor LFPAK88 del MOSFET di N-Manica dei transistor BUK7S1R5-40HJ 40V

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
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Supporto della superficie dei transistor LFPAK88 del MOSFET di N-Manica dei transistor BUK7S1R5-40HJ 40V

Supporto della superficie dei transistor LFPAK88 del MOSFET di N-Manica dei transistor BUK7S1R5-40HJ 40V
Supporto della superficie dei transistor LFPAK88 del MOSFET di N-Manica dei transistor BUK7S1R5-40HJ 40V Supporto della superficie dei transistor LFPAK88 del MOSFET di N-Manica dei transistor BUK7S1R5-40HJ 40V

Grande immagine :  Supporto della superficie dei transistor LFPAK88 del MOSFET di N-Manica dei transistor BUK7S1R5-40HJ 40V

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Original Factory
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: BUK7S1R5-40HJ
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: LFPAK88
Tempi di consegna: 5-8 giorni del lavoro
Termini di pagamento: T/T, L/C, Western Union

Supporto della superficie dei transistor LFPAK88 del MOSFET di N-Manica dei transistor BUK7S1R5-40HJ 40V

Descrizione
Numero del pezzo: BUK7S1R5-40HJ Tipo del transistor: 1 canale N
Pacchetto del dispositivo del fornitore: LFPAK88 (SOT1235) Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds: 6712 PF @ 25 V Resistenza su di Scolo-fonte di RDS: 3,27 mOhms

Supporto della superficie dei transistor LFPAK88 del MOSFET di N-Manica dei transistor BUK7S1R5-40HJ 40V

 

Descrizione di prodotto di BUK7S1R5-40HJ

Transistor di N-Manica di BUK7S1R5-40HJ, 40 V, MOSFET standard del livello di 1,5 mΩ in LFPAK88. Questo prodotto completamente è stato destinato e qualificato stato per incontrarsi oltre i requisiti AEC-Q101 che consegnano il rendimento elevato e l'affidabilità.

 

Specificazione di BUK7S1R5-40HJ

Numero del pezzo: BUK7S1R5-40HJ
3,27 mOhms
- 20 V, + 20 V
4,3 V
67 nC
- 55 C
+ 175 C
242 W
Potenziamento


Caratteristiche di BUK7S1R5-40HJ

  • Induttanza bassa di fonte
  • Resistenza termica bassa Rth
  • 40 tecnologia unica di superjunction della fossa 9 di V
  • Capacità migliore della valanga e di SOA confrontata a TrenchMOS standard
  • -55 °C - una valutazione di +175 °C adatta ad ambienti termicamente richiedenti
  • Capacità corrente massima aumentata e diffusione corrente eccellente

 

Altri componenti elettronici in azione

Numero del pezzo Pacchetto
STM32G071KBU6 UFQFPN32
STM32G071C8T6 LQFP-48
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FAQ

Q: Sono i vostri prodotti originali?
: Sì, tutti i prodotti sono importazione originale originale e nuova è il nostro scopo.
Q: Quali certificati avete?
: Siamo società di iso e membro certificati 9001:2015 di ERAI.
Q: Potete sostenere l'ordine o il campione della piccola quantità? È il campione libero?
: Sì, sosteniamo l'ordine del campione ed il piccolo ordine. Il costo del campione è differente secondo il vostro ordine o progetto.
Q: Come spedire il mio ordine? È sicuro?
: Usiamo preciso per spedire, quale DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We possiamo anche usare il vostro spedizioniere suggerito. I prodotti saranno in merce che imballa ed assicurarci la sicurezza e sia responsabile a danneggiamento del prodotto del vostro ordine.
Q: Che cosa circa il termine d'esecuzione?
: Possiamo spedire le parti di riserva in 5 giorni lavorativi. Se senza azione, confermeremo il termine d'esecuzione per voi abbiamo basato sulla vostra quantità di ordine.
 

Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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