Pacchetto dei transistor 20V DFN del MOSFET della fossa di P-Manica dei transistor BUK4D122-20PX

Transistori BUK4D122-20PX P-Channel Trench MOSFET Transistori 20V DFN

Descrizione del prodottoBUK4D122-20PX

BUK4D122-20PX è un transistor a effetto campo (FET) in modalità di potenziamento del canale P in un pacchetto di plastica senza piombo di potenza media DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) utilizzando la tecnologia Trench MOSFET.

Specifica diBUK4D122-20PX

Caratteristiche diBUK4D122-20PX

• Intervallo di temperatura esteso Tj = 175 °C
• Imballaggio di plastica SMD di piccole dimensioni e senza piombo: 2 x 2 x 0,65 mm
• Acciai di ferro o di acciaio inossidabile, non ricoperti né rivestiti né ricoperti né ricoperti
• Protezione da scarica elettrostatica (ESD) > 2 kV HBM
• Tecnologia MOSFET a trincea
• AEC-Q101 qualificato

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Domande frequenti
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A: Sì, tutti i prodotti sono originali, nuova importazione originale è il nostro scopo.
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R: Siamo una società certificata ISO 9001:2015 e membro di ERAI.
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