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Dettagli:
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| Numero di parte: | IPW60R017C7 | Vgs (Max): | ±20 V |
|---|---|---|---|
| Dissipazione di potenza (max): | 446W (Tc) | Temperatura operativa: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio: | Attraverso il buco | Capacitanza di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 9890 pF @ 400 V |
| Evidenziare: | IPW60R017C7,Chip di circuito integrato IPW60R017C7,Transistor MOSFET a canale N |
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La serie di MOSFET superjunction (SJ) CoolMOS™ C7 da 600V offre una riduzione di circa il 50% delle perdite di spegnimento (Eoss) rispetto al CoolMOS™ CP, offrendo prestazioni eccezionali in PFC, TTF e altre topologie a commutazione dura.
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Numero di parte | IPW60R017C7 |
| Tipo FET | Canale N |
| Tecnologia | MOSFET (ossido metallico) |
| Tensione Drain-Source (Vdss) | 600 V |
| Corrente - Drain continua (Id) @ 25°C | 109A (Tc) |
| Tensione di pilotaggio (Rds On Max, Rds On Min) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mΩ @ 58.2A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 2.91mA |
| Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs | 240 nC @ 10 V |
| Numero di parte | Package |
|---|---|
| 5CEFA4M13I7N | BGA |
| LM5175RHFR | VQFN28 |
| TPS650942A0RSKR | VQFN64 |
| TPS63070RNMR | VQFN-15 |
| MSP430F2481TPMR | LQFP64 |
| STM32H743IIT6 | LQFP176 |
Persona di contatto: Sales Manager
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Fax: 86-0755-83957753