Chip di circuito integrato TK10A80E MOSFET a canale n 800 V 10A Transistor

Chip di circuito integrato TK10A80E MOSFET a canale n 800 V 10A Transistor

Descrizione del prodotto TK10A80E

TK10A80E è un MOSFET a canale N di silicio 800 V 10A (Ta) 50W (Tc) attraverso transistor a foro.

Specifica del TK10A80E

Caratteristiche del TK10A80E

• Resistenza di accensione a bassa fonte di scarico: RDS ((ON) = 0,7 Ω (tipico)

• Corrente a bassa perdita: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 640 V)

• Modalità di potenziamento: Vth = 2,5 a 4,0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

Applicazioni del TK10A80E

• Regulatori di commutazione della tensione

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Domande frequenti
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