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Dettagli:
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| Numero di parte: | IGT60R070D1 | ID (@ TA=25°C) max: | 31 A |
|---|---|---|---|
| IDpuls (@25°C) max: | 60 a | Ptot massimo: | 125 W |
| Qg: | 5.8 nC | RDS (acceso) (tipico): | 55 mΩ |
IGT60R070D1 consente una topologia più compatta e una maggiore efficienza con funzionamento a frequenza più elevata. È certificato attraverso un ampio processo di qualificazione specifico per GaN, che supera gli standard del settore. Alloggiato nel contenitore HSOF-8 (TO-leadless) con raffreddamento sul lato inferiore, è progettato per la dissipazione di potenza ottimale richiesta nei moderni data center, server, telecomunicazioni, energie rinnovabili e numerose altre applicazioni.
| Numero di parte | Pacchetto |
|---|---|
| AWR1843ABGABLRQ1 | FCBGA161 |
| STM32WB55VGQ6 | BGA129 |
| XC5VLX30T-2FF323I | BGA |
| XC5VLX30T-1FF323C | BGA |
| LIF-MDF6000-6KMG80I | BGA-80 |
| SIM8260C-M2 | Modulo |
| SIM8260C | Modulo |
| SIM8100 | Modulo |
| SIM8800CE | Modulo |
| SIM8800E | Modulo |
| SIM8973CE | Modulo |
| SIM8973EA | Modulo |
| SIM8973W | Modulo |
| TPS79333DBVRQ1 | SOT23-5 |
| AMC1035QDRQ1 | SOIC-8 |
| TPS25865QRPQRQ1 | QFN |
| UCC27200QDDARQ1 | SOP8 |
| LM26480QSQ-AA/NOPB | WQFN-24 |
| TPS79633QDCQRQ1 | SOT-223-6 |
| AMC23C12QDWVRQ1 | SOIC8 |
| TPS62402QDRCRQ1 | VSON10 |
| TPS76933QDBVRG4Q1 | SOT23-5 |
| XC7A100T-2FGG484I | BGA484 |
| XC6SLX25-2FGG484I | BGA484 |
| XC7A50T-1FTG256I | BGA256 |
| AIMBG120R040M1 | TO263-7 |
| AIMBG120R010M1 | TO263-7 |
| AIMBG120R120M1 | TO263-7 |
| STM32H747AGI6 | UFBGA169 |
| STM32H747AII6 | UFBGA169 |
Persona di contatto: Sales Manager
Telefono: 86-13410018555
Fax: 86-0755-83957753